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    EDS1232AATA-75-E 参数 Datasheet PDF下载

    EDS1232AATA-75-E图片预览
    型号： EDS1232AATA-75-E
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 128M位的SDRAM （4M字× 32位）的 [128M bits SDRAM (4M words x 32 bits)]
    分类和应用： 存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
    文件页数/大小： 53 页 / 565 K
    品牌： ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
     浏览型号EDS1232AATA-75-E的Datasheet PDF文件第3页浏览型号EDS1232AATA-75-E的Datasheet PDF文件第4页浏览型号EDS1232AATA-75-E的Datasheet PDF文件第5页浏览型号EDS1232AATA-75-E的Datasheet PDF文件第6页浏览型号EDS1232AATA-75-E的Datasheet PDF文件第8页浏览型号EDS1232AATA-75-E的Datasheet PDF文件第9页浏览型号EDS1232AATA-75-E的Datasheet PDF文件第10页浏览型号EDS1232AATA-75-E的Datasheet PDF文件第11页  
    EDS1232AATA
    Test Conditions
    •
    AC high level input voltage / low level input voltage: 2.4V / 0.4V
    •
    Input timing measurement reference level: 1.4V
    •
    Transition time (Input rise and fall time): 1ns
    •
    Output timing measurement reference level: 1.4V
    •
    Termination voltage (Vtt): 1.4V
    tCK
    tCH
    CLK
    2.4V
    1.4V
    0.4V
    tSETUP tHOLD
    2.4V
    1.4V
    0.4V
    tAC
    tOH
    Output
    tCL
    Input
    Vtt
    Z = 50
    Ω
    Output
    30pF
    50
    Ω
    Input Waveforms and Output Load
    Data Sheet E0386E40 (Ver. 4.0)
    7

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