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EDS2516CDTA-75-E 参数 Datasheet PDF下载

EDS2516CDTA-75-E图片预览
型号: EDS2516CDTA-75-E
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内容描述: 256M位的SDRAM ( 16M字×16位) [256M bits SDRAM (16M words x 16 bits)]
分类和应用: 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
文件页数/大小: 50 页 / 685 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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EDS2516CDTA
DC Characteristics 2 (TA = 0 to +70°C, VDD, VDDQ = 2.5V ± 0.2V, VSS, VSSQ = 0V)
Parameter
Input leakage current
Output leakage current
Output high voltage
Output low voltage
Symbol
ILI
ILO
VOH
VOL
min.
–1
–1.5
2.0
max.
1
1.5
0.4
Unit
µA
µA
V
V
Test condition
0
VIN
VDD
0
VOUT
VDD, DQ = disable
IOH = –2 mA
IOL = 2 mA
Notes
Pin Capacitance (TA = 25°C, VDD, VDDQ = 2.5V ± 0.2V)
Parameter
Input capacitance
Symbol
CI1
CI2
Data input/output
capacitance
CI/O
Pins
CLK
Address, CKE, /CS,
/RAS, /CAS, /WE,
DQM
DQ
min.
2.5
2.5
4
typ.
max.
3.5
3.8
6.5
Unit
pF
pF
pF
Notes
1, 2, 4
1, 2, 4
1, 2, 3, 4
Notes: 1.
2.
3.
4.
Capacitance measured with Boonton Meter or effective capacitance measuring method.
Measurement condition: f = 1MHz, 1.2V bias, 200mV swing.
DQM = VIH to disable DOUT.
This parameter is sampled and not 100% tested.
Prelimimary Data Sheet E0545E40 (Ver. 4.0)
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