数据表
MOS集成电路
µ
PD4564441 ， 4564841 ， 4564163
64M位同步DRAM
4银行， LVTTL
描述
该
µ
PD4564441 ， 4564841 ， 4564163顷高速67,108,864位同步动态随机存取
回忆，组织为4,194,304
×
4
×
4, 2,097,152
×
8
×
4, 1,048,576
×16 ×
4 （字
×
位
×
银行）表示。
同步DRAM的实现使用流水线架构的高速数据传输。
所有输入和输出都与时钟的上升沿同步。
该同步DRAM与低电压TTL （ LVTTL ）兼容。
这些产品被包装在54针TSOP （ II ） 。
特点
•
完全同步动态RAM中，具有所有信号参考一个时钟上升沿
•
脉冲接口
•
可以断言随机列地址在每个周期中
•
通过A12和A13四核控制内部银行（ Bank选择）
•
字节控制（ × 16） LDQM和UDQM
•
可编程的缠绕顺序（顺序/交织）
•
可编程的突发长度（1， 2 ，4，8和全页）
•
可编程/ CAS等待时间（ 2和3）
•
自动预充电和预充电控制
•
CBR （自动）刷新和自刷新
• ×4, ×8, ×16
组织
•
采用3.3 V单
±
0.3 V电源
•
LVTTL兼容的输入和输出
•
4096刷新周期/ 64毫秒
•
突发终止突发停止命令和预充电命令
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一号文件E0149N10 （ 1.0版本）
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发布日期2001年8月（ K）
日本印刷
尔必达内存公司是NEC公司与日立公司合资的DRAM公司
ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
