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EBD11UD8ADDA-7B 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EBD11UD8ADDA-7B
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内容描述: 1GB DDR SDRAM SO- DIMM ( 128M字64位, 2级) [1GB DDR SDRAM SO-DIMM (128M words x64 bits, 2 Ranks)]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 19 页 / 205 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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数据表
1GB DDR SDRAM SO- DIMM
EBD11UD8ADDA
( 128M的话
×
64位, 2级)
描述
该EBD11UD8ADDA是128M的话
×
64位,2个
排名双倍数据速率( DDR ) SDRAM小外形
双列直插式内存模块,安装16件
512M比特DDR SDRAM的TCP包密封。读
并在交叉点被执行的写操作
的CK和/ CK 。这种高速数据传输
由2位预取流水线架构实现。
数据选通(DQS ),既用于读操作,写操作可用
用于高速和可靠的数据总线设计。通过设置
扩展模式寄存器中,芯片上的延迟锁定
回路( DLL) ,可设置启用或禁用。该模块
提供了高密度安装,而无需使用表面
安装技术。去耦电容安装
旁边的模块板的每个TCP 。
注意:不要推盖或删除模块
为了避免机械故障,这可能
导致电气故障。
特点
200针插座型小外形双列直插式内存
模块( SO -DIMM )
PCB高度: 31.75毫米
引线间距: 0.6毫米
2.5V电源
数据传输速率: 333Mbps / 266Mbps (最大)
2.5 V ( SSTL_2兼容)I / O
双倍数据速率的架构;两种数据传输每
时钟周期
双向的,数据选通(DQS )被发送
/接收的数据,在捕获数据中使用
接收器
数据输入,输出和DM与同步
的DQ
4个内部银行的并发操作
(组件)
DQS是边沿与读取数据对齐的;中心
与写入的数据一致
差分时钟输入( CK和/ CK )
DLL对齐DQ和DQS转换与CK
TRANSITIONS
命令中输入的每个正CK边缘;数据
参考DQS的两个边缘
数据掩码(DM)写入数据
自动预充电选项为每个突发访问
可编程的突发长度: 2,4, 8
可编程/ CAS延迟(CL) : 2,2.5
更新周期: ( 8192刷新周期/ 64ms的)
7.8μs最大平均周期刷新间隔
刷新2变化
自动刷新
自刷新
一号文件E0431E20 (版本2.0 )
发布日期2004年4月(K )日本
网址: http://www.elpida.com
Elpida
内存方面,公司2003-2004年