数据表
1GB无缓冲DDR SDRAM DIMM
EBD11UD8ADFB - 5 （ 128M字
×
64位， 2级）
描述
该EBD11UD8ADFB是128M的话
×
64位， 2级
双倍数据速率（ DDR ） SDRAM无缓冲模块，
安装16块512M比特DDR SDRAM密封
在TSOP封装。读取和写入操作
在CK和/ CK的交叉点处执行。
这个高速数据传输是通过2位来实现
预取流水线架构。数据选通（ DQS ）
既用于读操作，写操作可用于高速和
可靠的数据总线设计。通过设置扩展模式
寄存器中，芯片上的延迟锁定环（DLL），可以是
设置启用或禁用。该模块提供了高
密度安装，而无需使用表面贴装
技术。
去耦电容安装
旁边的模块板的每个TSOP 。
特点
•
184针插座型双列直插式内存模块
（ DIMM ）
PCB高度： 31.75毫米
引线间距： 1.27毫米
•
2.6V电源
•
数据传输速率： 400Mbps的（最大）
•
2.5 V （ SSTL_2兼容）I / O
•
双倍数据速率的架构;两种数据传输每
时钟周期
•
双向的，数据选通（DQS ）被发送
/接收的数据，在捕获数据中使用
接收器
•
数据输入和输出都与DQS同步
•
4个内部银行的并发操作
（组成）
•
DQS是边沿与读取数据对齐的;中心
与写入的数据一致
•
差分时钟输入（ CK和/ CK ）
•
DLL对齐DQ和DQS转换与CK
TRANSITIONS
•
命令中输入的每个正CK边缘;数据
参考DQS的两个边缘
•
自动预充电选项为每个突发访问
•
可编程的突发长度： 2，4， 8
•
可编程/ CAS延迟（ CL ） ： 3
•
可编程输出驱动强度：正常/弱
•
更新周期： （ 8192刷新周期/ 64ms的）
7.8μs最大平均周期刷新间隔
•
刷新2变化
自动刷新
自刷新
一号文件E0403E30 （版本3.0 ）
发布日期2004年2月（K ）日本
网址： http://www.elpida.com
Elpida
内存方面，公司2003-2004年
ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
