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EBD26UC6AKSA-7B 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EBD26UC6AKSA-7B
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内容描述: 256MB DDR SDRAM SO DIMM ( 32M字× 64位, 2家银行) [256MB DDR SDRAM SO DIMM (32M words x 64 bits, 2 Banks)]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 19 页 / 204 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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初步数据表
256MB DDR SDRAM SO DIMM
EBD26UC6AKSA
( 32M字
×
64位, 2家银行)
描述
该EBD26UC6AKSA是32M的话
×
64位, 2银行
双倍数据速率( DDR ) SDRAM小外形双
直插式内存模块,安装8块256M位
DDR SDRAM封装在TSOP封装。阅读和
写入操作时,在交叉点进行
在CK和/ CK 。这种高速数据传输是
由2位预取流水线架构实现。
数据选通(DQS ),既用于读操作,写操作可用
用于高速和可靠的数据总线设计。通过设置
扩展模式寄存器中,芯片上的延迟锁定
回路( DLL) ,可设置启用或禁用。该模块
提供了高密度安装,而无需使用表面
安装技术。去耦电容安装
旁边的模块板的每个TSOP 。
特点
200针插座型小外形双列直插式内存
模块( SO DIMM )
PCB高度: 31.75毫米
引线间距: 0.6毫米
2.5V电源
数据传输速率: 333Mbps / 266Mbps (最大)
2.5 V ( SSTL_2兼容)I / O
双倍数据速率的架构;两种数据传输每
时钟周期
双向的,数据选通(DQS )被发送
/接收的数据,在捕获数据中使用
接收器
数据输入,输出和DM与同步
的DQ
4个内部银行的并发操作
(组成)
DQS是边沿与读取数据对齐的;中心
与写入的数据一致
差分时钟输入( CK和/ CK )
DLL对齐DQ和DQS转换与CK
TRANSITIONS
命令中输入的每个正CK边缘;数据
参考DQS的两个边缘
数据掩码(DM)写入数据
自动预充电选项为每个突发访问
可编程的突发长度: 2,4, 8
可编程/ CAS延迟(CL) : 2,2.5
更新周期: ( 8192刷新周期/ 64ms的)
7.8μs最大平均周期刷新间隔
刷新2变化
自动刷新
自刷新
一号文件E0307E20 (版本2.0 )
发布日期2002年11月(K )日本
网址: http://www.elpida.com
Elpida
内存方面, 2002年公司