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EBD26UC6AASA-7B 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EBD26UC6AASA-7B
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内容描述: 256MB DDR SDRAM SO DIMM [256MB DDR SDRAM SO DIMM]
分类和应用: 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
文件页数/大小: 19 页 / 192 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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初步数据表
注册1GB DDR SDRAM DIMM
EBD10RD4ABFA
( 128M的话
×
72位,1个等级)
描述
该EBD10RD4ABFA是128M的话
×
72位, 1级
双倍数据速率( DDR ) SDRAM注册模块,
安装18块512M比特DDR SDRAM密封
在TSOP封装。读取和写入操作
在CK和/ CK的交叉点处执行。
这个高速数据传输是通过2位来实现
预取流水线架构。数据选通( DQS )
既用于读操作,写操作可用于高速和
可靠的数据总线设计。通过设置扩展模式
寄存器中,芯片上的延迟锁定环(DLL),可以是
设置启用或禁用。该模块提供了高
密度安装,而无需使用表面贴装
技术。
去耦电容安装
旁边的模块板的每个TSOP 。
特点
184针插座型双列直插式内存模块
( DIMM )
PCB高度: 30.48毫米
引线间距: 1.27毫米
2.5V电源
数据传输速率: 333Mbps / 266Mbps (最大)
2.5 V ( SSTL_2兼容)I / O
双倍数据速率的架构;两种数据传输每
时钟周期
双向的,数据选通(DQS )被发送
/接收的数据,在捕获数据中使用
接收器
数据输入和输出都与DQS​​同步
4个内部银行的并发操作
(组成)
DQS是边沿与读取数据对齐的;中心
与写入的数据一致
差分时钟输入( CK和/ CK )
DLL对齐DQ和DQS转换与CK
TRANSITIONS
命令中输入的每个正CK边缘;数据
参考DQS的两个边缘
自动预充电选项为每个突发访问
可编程的突发长度: 2,4, 8
可编程/ CAS延迟(CL) : 2,2.5
更新周期: ( 8192刷新周期/ 64ms的)
7.8μs最大平均周期刷新间隔
刷新2变化
自动刷新
自刷新
1件PLL时钟驱动器, 2个寄存器驱动器
和1片的串行EEPROM ( 2k个比特)为存在
检测(SPD)在PCB上。
一号文件E0274E40 (版本4.0 )
发布日期2003年4月(K )日本
网址: http://www.elpida.com
Elpida
内存方面,公司。 2002至03年