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EBE10UE8ACWA-6E-E 参数 Datasheet PDF下载

EBE10UE8ACWA-6E-E图片预览
型号: EBE10UE8ACWA-6E-E
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内容描述: 1GB无缓冲DDR2 SDRAM DIMM [1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM]
分类和应用: 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
文件页数/大小: 29 页 / 210 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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EBE10UE8ACWA
电气规格
所有电压参考VSS ( GND) 。
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于VSS的电压
电源电压相对于Vss
短路输出电流
功耗
工作温度
储存温度
符号
VT
VDD
IOS
PD
TC
TSTG
价值
-0.5到+2.3
-0.5到+2.3
50
8
0至+95
-55到+100
单位
V
V
mA
W
°C
°C
1, 2
1
1
笔记
1
注:1 。
2.
DDR2 SDRAM组件规范。
支持0 ° C至+ 85°C ,并能扩展到+ 95°C ,在加倍自动刷新命令
通过控制频率为32ms的周期( tREFI = 3.9μs )和较高温度的自刷新进入
EMRS (2)比特A7是必需的。
该设备暴露在压力超过上述绝对最大额定值可能会导致
永久性损坏。该装置并不意味着超出限制的条件下操作
本说明书中暴露在绝对最大额定值的操作部分中描述
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
小心
DC操作条件( TC = 0 ° C至+ 85°C ) ( DDR2 SDRAM组件规格)
参数
电源电压
符号
VDD , VDDQ
VSS
VDDSPD
输入参考电压
终止电压
DC输入逻辑高
DC输入低
AC输入逻辑高
AC输入低
VREF
VTT
VIH (DC)的
VIL (DC)的
VIH (AC)的
VIL (AC)的
分钟。
1.7
0
1.7
0.49
×
VDDQ
VREF
0.04
VREF + 0.125
−0.3
VREF
+
0.200
典型值。
1.8
0
马克斯。
1.9
0
3.6
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
1, 2
3
笔记
4
0.50
×
VDDQ 0.51
×
VDDQ
VREF
VREF + 0.04
VDDQ + 0.3
VREF - 0.125
VREF - 0.200
注:1 。
2.
3.
4.
VREF的值可以由用户进行选择,以提供最佳的噪声容限的系统。
通常VREF值预计是约0.5
×
发送设备的VDDQ和VREF是
预计在VDDQ的跟踪变化。
峰 - 峰交流噪声的VREF不得超过
±2%
VREF (DC)。
发送装置的VTT必须跟踪接收装置的VREF。
VDDQ必须等于VDD。
数据表E1226E10 (版本1.0 )
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