数据表
注册2GB DDR2 SDRAM DIMM
EBE21RD4AEFA
（ 256M的话
×
72位， 2级）
描述
该EBE21RD4AEFA是一个256M的话
×
72位，2个
排名DDR2 SDRAM模块，安装36件
512M位DDR2 SDRAM的FBGA封（ μBGA
)
封装。读取和写入操作在执行
在CK的交叉点和/ CK 。这个高
高速数据传输是通过4位来实现prefetch-
流水线结构。数据选通（ DQS和/ DQS ）
既用于读操作，写操作可用于高速和
可靠的数据总线设计。通过设置扩展模式
寄存器中，芯片上的延迟锁定环（DLL），可以是
设置启用或禁用。该模块提供了高
密度安装，而无需使用表面贴装
技术。
去耦电容安装
旁各FBGA （ μBGA ）上的模块基板。
注意：不要推盖或删除模块
为了避免机械故障，这可能
导致电气故障。
特点
•
240针插座型双列直插式内存模块
（ DIMM ）
PCB高度： 30.0毫米
引线间距： 1.0毫米
LEAD -FREE
•
电源： VDD ， VDDQ
=
1.8V
±
0.1V
•
数据传输速率： 533Mbps / 400Mbps的（最大）
•
SSTL_18兼容的I / O
•
双倍数据速率的架构：每两次数据传输
时钟周期
•
双向数据选通（ DQS和/ DQS ）是
发送/与数据接收的，要使用的
在接收器采集数据
•
DQS是边沿与读取数据对齐的;中心
与写入的数据一致
•
差分时钟输入（ CK和/ CK ）
•
DLL对齐DQ和DQS转换与CK
TRANSITIONS
•
命令中输入的每个正CK边缘;数据
参考DQS的两个边缘
•
四大银行内部的并发操作
（组件）
•
突发长度： 4,8
•
/ CAS延迟（CL） ： 3 ，4，5
•
自动预充电选项为每个突发访问
•
自动刷新和自刷新模式
•
平均更新周期
7.8μs在0℃下
≤
TC
≤ +85°C
在3.9μs
+ 85°C <
TC
≤ +95°C
•
通过可编程附加延迟中科院发布
更好的命令和数据总线效率
•
片外驱动器阻抗调整和在复模机
终止更好的信号质量
•
/ DQS可以用于单端数据选通被禁用
手术
•
1件PLL时钟驱动器， 4件寄存器驱动
和1个串行EEPROM （ 2K位EEPROM ），用于
检测（ PD ）
一号文件E0671E20 （版本2.0 ）
发布日期2005年4月（K ）日本
日本印刷
网址： http://www.elpida.com
Elpida
内存方面， 2005年公司
ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
