初步数据表
512MB无缓冲DDR2 SDRAM DIMM
EBE51UD8AGWA
（ 64M字
×
64位，1个等级）
特定网络阳离子
•
密度： 512MB
•
组织
64M的话
×
64位， 1级
•
安装8块512M比特的DDR2 SDRAM
在FBGA封
•
包装： 240针插座型双列直插式内存
模块（DIMM）
PCB高度： 30.0毫米
引线间距： 1.0毫米
无铅（符合RoHS）
•
电源： VDD
=
1.8V
±
0.1V
•
数据传输速率： 667Mbps / 533Mbps （最大）
•
四大银行内部的并发操作
（组件）
•
接口： SSTL_18
•
脉冲串长度（BL） ： 4,8
•
/ CAS延迟（CL） ： 3 ，4，5
•
预充电：对于每个突发自动预充电选项
ACCESS
•
刷新：自动刷新，自刷新
•
刷新周期： 8192次/ 64ms的
平均更新周期
7.8μs在0℃下
≤
TC
≤ +85°C
在3.9μs
+ 85°C <
TC
≤ +95°C
•
工作温度范围
TC = 0 ° C至+ 95°C
特点
•
双倍数据速率体系结构;两种数据传输每
时钟周期
•
高速数据传输是由4比特来实现
预取流水线结构
•
双向差分数据选通（ DQS和/ DQS ）
传输/数据接收的数据采集
接收器
•
DQS是边沿对齐的数据进行读操作;中央重点
与写入的数据一致
•
差分时钟输入（ CK和/ CK ）
•
DLL对齐DQ和DQS转换与CK
TRANSITIONS
•
命令中输入的每个正CK边缘;数据
和数据掩码参考DQS的两个边缘
•
数据掩码（DM）写入数据
•
发布/ CAS通过可编程附加延迟
更好的命令和数据总线效率
•
片外驱动器阻抗调整和在复模机
终止更好的信号质量
•
/ DQS可以用于单端数据选通被禁用
手术
一号文件E0921E10 （版本1.0 ）
发布日期2006年6月（K ）日本
日本印刷
网址： http://www.elpida.com
Elpida
内存方面， 2006年公司
ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
