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    EBE52UC8AAFA-4C-E 参数 Datasheet PDF下载

    EBE52UC8AAFA-4C-E图片预览
    型号： EBE52UC8AAFA-4C-E
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 512MB无缓冲DDR2 SDRAM DIMM [512MB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM]
    分类和应用： 动态存储器双倍数据速率
    文件页数/大小： 22 页 / 196 K
    品牌： ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
     浏览型号EBE52UC8AAFA-4C-E的Datasheet PDF文件第2页浏览型号EBE52UC8AAFA-4C-E的Datasheet PDF文件第3页浏览型号EBE52UC8AAFA-4C-E的Datasheet PDF文件第4页浏览型号EBE52UC8AAFA-4C-E的Datasheet PDF文件第5页浏览型号EBE52UC8AAFA-4C-E的Datasheet PDF文件第7页浏览型号EBE52UC8AAFA-4C-E的Datasheet PDF文件第8页浏览型号EBE52UC8AAFA-4C-E的Datasheet PDF文件第9页浏览型号EBE52UC8AAFA-4C-E的Datasheet PDF文件第10页  
    EBE52UC8AAFA
    第一个字节
    27
    函数来描述
    最小行预充电时间（TRP）
    -5℃ ， -4A
    -4C
    最小行主动向行活动
    延迟（ TRRD ）
    最小/ RAS到/ CAS延迟（ tRCD的）
    -5℃ ， -4A
    -4C
    最低活跃预充电时间
    （ TRAS ）
    模块级密度
    地址和命令设置时间
    时钟前（ TIS ）
    -5C
    -4A ， -4℃
    Bit7
    0
    0
    0
    0
    0
    0
    0
    0
    0
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    0
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    1
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    0
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    1
    0
    0
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    0
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    1
    1
    0
    0
    0
    1
    1
    1
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    1
    1
    1
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    1
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    0
    0
    1
    1
    0
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    1
    0
    0
    1
    Bit3
    1
    0
    1
    1
    0
    1
    0
    0
    0
    1
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    0
    0
    1
    1
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    1
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    1
    0
    1
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    1
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    0
    0
    1
    0
    0
    1
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    0
    0
    1
    0
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    0
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    0
    0
    0
    0
    0
    1
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    1
    0
    0
    0
    1
    1
    0
    0
    十六进制值
    3CH
    50H
    1EH
    3CH
    50H
    2DH
    40H
    25H
    35H
    38H
    48H
    10H
    15H
    23H
    28H
    3CH
    1EH
    28H
    评论
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    256M字节
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    1
    1
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    31
    32
    EO
    33
    -4A ， -4℃
    34
    -4A ， -4℃
    35
    -4A ， -4℃
    36
    37
    -4A ， -4℃
    38
    39
    40
    41
    -4C
    42
    43
    44
    -4A ， -4℃
    45
    -4A ， -4℃
    46
    47至61
    PLL重新锁定时间
    1
    地址和命令后保持时间
    时钟（ TIH ）
    0
    -5C
    0
    0
    0
    0
    0
    0
    之前的数据输入建立时间时钟
    （ TDS ）
    -5C
    1
    1
    1
    钟后，数据输入保持时间（ TDH ）
    -5C
    写恢复时间（ tWR的）
    内部写读命令延迟
    （ tWTR ）
    -5C
    内部读取到预充电命令
    延迟（ tRTP ）
    内存分析探针特性0
    扩展字节41和42的
    主动命令期间（ TRC）
    -5℃ ， -4A
    自动刷新主动/
    自动刷新命令周期（ tRFC ）
    SDRAM TCK周期最大。 （TCK最大）
    DOUT到DQS歪斜
    -5C
    数据保持歪斜（ TQHS ）
    -5C
    初步数据表E0467E11 （ 1.1版）
    L
    1
    1
    1
    od
    Pr
    0
    0
    0
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    1
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    0
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    1
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    0
    0
    0
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    0
    1
    1
    1
    1
    0
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    0
    0
    0
    0
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    0
    0
    0
    0
    0
    0
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    0
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    1
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    0
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    0
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    10ns*
    1
    1
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    7.5ns*
    待定
    1
    00H
    00H
    3CH
    41H
    未定义
    60ns*
    65ns*
    75ns*
    8ns*
    1
    1
    1
    4BH
    1
    80H
    1EH
    23H
    uc
    0.30ns*
    1
    0.35ns*
    1
    28H
    0.40ns*
    1
    2DH
    0.45ns*
    1
    00H
    未定义
    t
    00H
    6

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