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EBJ10UE8BDS0-AE-F 参数 Datasheet PDF下载

EBJ10UE8BDS0-AE-F图片预览
型号: EBJ10UE8BDS0-AE-F
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内容描述: 1GB DDR3 SDRAM SO- DIMM [1GB DDR3 SDRAM SO-DIMM]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 21 页 / 200 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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初步数据表
1GB DDR3 SDRAM SO- DIMM
EBJ10UE8BDS0 ( 128M词
×
64位,1个等级)
特定网络阳离子
密度: 1GB
组织
128M的话
×
64位, 1级
安装8块1G比特DDR3 SDRAM密封
在FBGA
包装: 204针插座型小外形双列
直插式内存模块( SO-DIMM)
PCB高度: 30.0毫米
引线间距: 0.6毫米
无铅(符合RoHS)和无卤素
电源: VDD
=
1.5V
±
0.075V
数据传输速率: 1600Mbps / 1333Mbps / 1066Mbps (最大)
八个内部银行的并发操作
(组件)
接口: SSTL_15
突发长度( BL ) : 8和4突发印章( BC)
/ CAS延迟(CL) : 6,7, 8,9 ,10,11
/ CAS写入延迟(CWL ) :5, 6 ,7,8
预充电:对于每个突发自动预充电选项
ACCESS
刷新:自动刷新,自刷新
刷新周期
平均更新周期
7.8μs在0℃下
TC
≤ +85°C
在3.9μs
+ 85°C <
TC
≤ +95°C
工作温度范围
TC = 0 ° C至+ 95°C
特点
双倍数据速率体系结构;两种数据传输每
时钟周期
高速数据传输是通过8位来实现
预取流水线结构
双向差分数据选通( DQS和/ DQS )
传输/数据接收的数据采集
接收器
DQS是边沿对齐的数据进行读操作;中央重点
与写入的数据一致
差分时钟输入( CK和/ CK )
DLL对齐DQ和DQS转换与CK
TRANSITIONS
命令中输入的每个正CK边缘;数据
和数据掩码参考DQS的两个边缘
数据掩码(DM)写入数据
发布/ CAS通过可编程附加延迟
更好的命令和数据总线效率
片上端接( ODT)为更好的信号质量
同步ODT
动态ODT
异步ODT
多用途寄存器( MPR)的温度读
OUT
ZQ校准DQ驱动和ODT
可编程部分阵列自刷新( PASR )
/ RESET引脚上电顺序和复位
功能
SRT范围:
作者/扩展
可编程输出驱动器阻抗控制
一号文件E1512E10 (版本1.0 )
发布日期2009年6月(K )日本
日本印刷
网址: http://www.elpida.com
Elpida
内存方面, 2009年公司