欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

EDD1216AASE 参数 Datasheet PDF下载

EDD1216AASE图片预览
型号: EDD1216AASE
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 128M位的DDR SDRAM (8M字×16位) [128M bits DDR SDRAM (8M words x 16 bits)]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 49 页 / 564 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
 浏览型号EDD1216AASE的Datasheet PDF文件第2页浏览型号EDD1216AASE的Datasheet PDF文件第3页浏览型号EDD1216AASE的Datasheet PDF文件第4页浏览型号EDD1216AASE的Datasheet PDF文件第5页浏览型号EDD1216AASE的Datasheet PDF文件第6页浏览型号EDD1216AASE的Datasheet PDF文件第7页浏览型号EDD1216AASE的Datasheet PDF文件第8页浏览型号EDD1216AASE的Datasheet PDF文件第9页  
初步数据表
128M比特DDR SDRAM
EDD1216AASE ( 8M字
×
16比特)
描述
该EDD1216AASE是128M位双数据速率
( DDR ) SDRAM组织为2097154字
×
16位
×
4银行。读取和写入操作在执行
在CK的交叉点和/ CK 。这个高
高速数据传输是通过2位来实现prefetch-
流水线结构。数据选通( DQS )既为
读取和写入可用于高速和可靠
数据总线设计。通过设置扩展模式寄存器,
芯片上的延迟锁定环(DLL),可以设置
启用或禁用。它被包装在60球FBGA
( μBGA
)封装。
销刀豆网络gurations
/ xxx表示低电平有效的信号。
60球FBGA ( BGA )
1
A
VSSQ DQ15 VSS
VDD
DQ0 VDDQ
2
3
4
5
6
7
8
9
B
DQ14 VDDQ DQ13
DQ2 VSSQ DQ1
DQ4 VDDQ DQ3
DQ6 DQ5 VSSQ
LDQS VDDQ DQ7
LDM
/ WE
/ RAS
BA1
A0
A2
VDD
VDD
/ CAS
/ CS
BA0
A10
A1
A3
NC
C
DQ12 VSSQ DQ11
D
DQ10 VDDQ DQ9
特点
电源: VDDQ = 2.5V
±
0.2V
: VDD = 2.5V
±
0.2V
数据传输速率: 333Mbps / 266Mbps (最大)
双倍数据速率的架构;两种数据传输每
时钟周期
双向的,数据选通(DQS )被发送
/接收的数据,在捕获数据中使用
接收器
数据的输入,输出和DM与同步
的DQ
4个内部银行的并发操作
DQS是边沿与读取数据对齐的;中心
与写入的数据一致
差分时钟输入( CK和/ CK )
DLL对齐DQ和DQS转换与CK
TRANSITIONS
命令中输入的每个正CK边缘;数据
和数据掩码参考DQS的两个边缘
数据掩码(DM)写入数据
自动预充电选项为每个突发访问
SSTL_2兼容的I / O
可编程的脉冲串长度(BL) : 2,4, 8
可编程/ CAS延迟(CL) : 2,2.5
可编程输出驱动强度:正常/弱
刷新周期: 4096刷新周期/ 64ms的
值为15.6μs最大平均周期刷新间隔
刷新2变化
自动刷新
自刷新
FBGA ( μBGA )封装无铅焊料
(锡 - 银 - 铜)
一号文件E0614E20 (版本2.0 )
发布日期2005年3月(K )日本
日本印刷
网址: http://www.elpida.com
E
DQ8 VSSQ UDQS
F
VREF VSS
UDM
/ CK
CKE
A9
A7
A5
VSS
G
CK
H
NC
J
A11
K
A8
(美联社)
L
A6
M
A4
( TOP VIEW )
A0到A11
BA0 , BA1
DQ0到DQ15
UQQS / LDQS
/ CS
/ RAS
/ CAS
/ WE
UDM / LDM
CK
/ CK
CKE
VREF
VDD
VSS
VDDQ
VSSQ
NC
地址输入
银行选择地址
数据输入/输出
输入和输出数据选通
芯片选择
行地址选通
列地址选通
写使能
输入掩码
时钟输入
差分时钟输入
时钟使能
输入参考电压
电源内部电路
地上的内部电路
电源电路DQ
地面DQ电路
无连接
Elpida
内存方面,公司2004-2005年