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EDD1216AATA 参数 Datasheet PDF下载

EDD1216AATA图片预览
型号: EDD1216AATA
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内容描述: 128M位的DDR SDRAM (8M字×16位) [128M bits DDR SDRAM (8M words x 16 bits)]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 49 页 / 551 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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EDD1216AATA
-6B
参数
地址和控制输入设置
时间
地址和控制输入脉冲
宽度
模式寄存器设置命令周期
时间
至预充电命令
要积极主动/自动刷新
指令周期
自动刷新主动/自动刷新
指令周期
激活到读/写延迟
预充电到激活命令
主动到Autoprecharge延迟
主动对主动命令时期
写恢复时间
符号
TIS
分钟。
0.75
0.75
2.2
2
42
60
72
18
18
tRCD的分。
12
15
马克斯。
120000
-7A
分钟。
0.9
0.9
2.2
2
45
67.5
75
20
20
tRCD的分。
15
15
马克斯。
120000
-7B
分钟。
0.9
0.9
2.2
2
45
67.5
75
20
20
tRCD的分。
15
15
马克斯。
120000
单位
ns
ns
ns
TCK
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
TCK
TCK
µs
13
笔记
8
8
7
地址和控制输入保持时间TIH
tIPW
超过tMRD
tRAS的
TRC
tRFC
tRCD的
激进党
陷阱
TRRD
tWR的
自动预充电写恢复和
tDAL
预充电时间
内部写读命令
Twtr
延迟
平均周期刷新间隔
TREF
( tWR的/ TCK ) +
(TRP / TCK )
1
15.6
( tWR的/ TCK ) +
(TRP / TCK )
1
15.6
( tWR的/ TCK ) +
(TRP / TCK )
1
15.6
注:1。在所有交流测量,我们假设在接下来的页面中所示的试验条件。对于时序参数
定义,请参见“时序波形”部分。
2.这个参数定义从CK和/ CK的交叉点上的信号转换延迟。信号
过渡是指当信号电平渡VTT发生。
3.定时基准电平是VTT 。
4.输出有效窗口被定义为两个连续的过渡数据的列或DQS的期间
(读出)的信号。信号转换是指当信号电平渡VTT发生。
5.太赫兹被定义为从低 - Z DOUT迁移延迟到高阻在读突发操作结束。该
定时参考CK和/ CK的交叉点。此参数没有提到具体的DOUT电压
水平,但指定当设备停止输出驱动。
6. TLZ被定义为从高Z DOUT过渡延迟至低价-Z的在读操作的开始。这
参数未提及具体的DOUT的电压电平,但指定设备输出开始时
驾驶。
7.输入有效窗口被定义为间的数据输入或DQS的两个连续的过渡期
(写)信号。信号转换是指发生信号电平渡VREF时。
8.定时基准电平为VREF 。
9.从低到Z到高阻的过渡被定义时,该设备的输出停止驱动发生。具体
没有给定的参考电压来判断这一过渡。
10. TCK (最大值)是由DLL的锁定范围来确定。超出这个锁定范围时,DLL操作不
放心。
11. TCK TCK = (分钟)这些参数进行测量时。这些,否则,绝对最低值
值是TCK的10%。
12. VDD被假定为2.5V ±0.2V 。每个周期预计为小于电源VDD的变化
0.4V / 400周期。
数据表E0444E40 (版本4.0 )
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