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EDD1232AAFA 参数 Datasheet PDF下载

EDD1232AAFA图片预览
型号: EDD1232AAFA
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内容描述: 128M比特DDR SDRAM ( 4M字× 32位) [128M bits DDR SDRAM (4M words x 32 bits)]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 50 页 / 583 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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数据表
128M比特DDR SDRAM
EDD1232AAFA ( 4M字
×
32位)
描述
该EDD1232AAFA是128M比特DDR SDRAM
组织为1,048,576字
×
32位
×
4银行。
读取和写入操作都在交叉进行
在CK和/ CK点。这个高速数据
传输是通过2位预取流水线实现
架构。数据选通(DQS ),既用于读和
写可用于高速和可靠的数据总线
设计。通过设置扩展模式寄存器中,芯片上的
延迟锁定环(DLL ),可以设置允许或禁止。
它被打包在100引脚塑料LQFP封装。
特点
电源: VDDQ = 2.5V
±
0.2V
: VDD = 2.5V
±
0.2V
数据传输速率: 333Mbps / 266Mbps (最大)
双倍数据速率的架构;两种数据传输每
时钟周期
双向的,数据选通(DQS )被发送
/接收的数据,在捕获数据中使用
接收器
数据的输入,输出和DM与同步
的DQ
4个内部银行的并发操作
DQS是边沿与读取数据对齐的;中心
与写入的数据一致
差分时钟输入( CK和/ CK )
DLL对齐DQ和DQS转换与CK
TRANSITIONS
命令中输入的每个正CK边缘;数据
和数据掩码参考DQS的两个边缘
数据掩码(DM)写入数据
自动预充电选项为每个突发访问
SSTL_2兼容的I / O
可编程的脉冲串长度(BL) : 2,4, 8
可编程/ CAS延迟(CL) : 2 ,2.5%, 3
可编程输出驱动强度:半/弱
刷新周期: 4096刷新周期/ 32ms的
7.8μs最大平均周期刷新间隔
刷新2变化
自动刷新
自刷新
LQFP封装,无铅焊料(锡铋)
符合RoHS
一号文件E0432E50 ( Ver.5.0 )
发布日期2005年6月(K )日本
日本印刷
网址: http://www.elpida.com
Elpida
内存方面,公司2003-2005年