EDD1232AAFA
引脚电容（ TA = + 25 ° C， VDD和VDDQ = 2.5V ± 0.2V ）
参数
输入电容
符号
CI1
CI2
数据输入/输出电容
增量的输入/输出电容
CI / O
CDIO
引脚
CK ， / CK
所有其它输入引脚
DQ ， DM ， DQS
DQ ， DM ， DQS
分钟。
1.0
1.0
4.0
—
典型值。
—
—
—
—
马克斯。
5.0
4.0
5.0
0.5
单位
pF
pF
pF
pF
笔记
1
1
1, 2
1
注：1.这些参数的条件下测得：
TA = + 25°C 。
2. Dout的电路都被禁止。
F = 100MHz时， VOUT = VDDQ / 2 ，
ΔVOUT
= 0.2V,
AC特性（ TA = 0〜 + 70 ° C， VDD ， VDDQ = 2.5V ± 0.2V ， VSS ， VSSQ = 0V）
-6B
参数
时钟周期时间
（CL = 2）的
（CL = 2.5）
（CL = 3）的
CK高电平宽度
CK低电平宽度
CK半期
从CK DQ输出访问时间， / CK
从CK DQS输出访问时间， / CK
DQS到DQ歪斜
从DQS DQ / DQS输出保持时间
符号
TCK
TCK
TCK
总胆固醇
TCL
THP
TAC
tDQSCK
TDQSQ
tQH
分钟。
7.5
6
6
0.45
0.45
民
（TCH ， TCL ）
–0.7
–0.7
—
THP - 0.55
—
–0.7
0.9
0.4
0.45
0.45
1.75
0
0.25
0.4
0.75
0.2
0.2
0.35
0.35
1.0
1.0
2.2
2
42
—
—
—
—
120000
马克斯。
12
12
12
0.55
0.55
—
0.7
0.7
0.45
—
0.7
0.7
1.1
0.6
—
—
—
—
—
0.6
1.25
—
—
—
-7A
分钟。
7.5
7.5
7.5
0.45
0.45
民
（TCH ， TCL ）
–0.75
–0.75
—
THP - 0.75
—
–0.75
0.9
0.4
0.5
0.5
1.75
0
0.25
0.4
0.75
0.2
0.2
0.35
0.35
1.0
1.0
2.2
2
45
马克斯。
12
12
12
0.55
0.55
—
0.75
0.75
0.5
—
0.75
0.75
1.1
0.6
—
—
—
—
—
0.6
1.25
—
—
—
—
—
—
—
—
120000
单位
ns
ns
ns
TCK
TCK
TCK
ns
ns
ns
ns
ns
ns
TCK
TCK
ns
ns
ns
ns
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
ns
ns
ns
TCK
ns
8
8
7
9
8
8
7
5, 11
6, 11
2, 11
2, 11
3
笔记
10
数据从CK高阻抗时， / CK太赫兹
从CK数据输出低阻抗时间， / CK
阅读序言
阅读后同步
DQ和DM输入建立时间
DQ和DM输入保持时间
DQ和DM输入脉冲宽度
写序言建立时间
写序言保持时间
写后同步
写命令首先锁定DQS
过渡
DQS下降沿到CK建立时间
DQS从CK下降沿保持时间
DQS输入高电平脉冲宽度
DQS输入低脉冲宽度
地址和控制输入建立时间
地址和控制输入保持时间
地址和控制输入脉冲宽度
模式寄存器设置命令周期时间
主动到预充电命令期
TLZ
tRPRE
tRPST
TDS
TDH
tDIPW
tWPRES
tWPREH
tWPST
tDQSS
TDSS
tDSH
tDQSH
tDQSL
TIS
TIH
tIPW
超过tMRD
tRAS的
数据表E0432E50 （ Ver.5.0 ）
7
ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
