初步数据表
MOS集成电路
EDD1204ALTA ， EDD1208ALTA ， EDD1216ALTA
128 M位同步DRAM是双倍数据速率
（ 4银行， SSTL_2 ）
描述
该EDD1204ALTA ， EDD1208ALTA ， EDD1216ALTA是高速134217728位同步动态
随机存取存储器，组织成8,388,608x4x4 ， 4,194,304x8x4 ， 2,097,152x16x4 （字X位x行）
分别。
该同步DRAM使用双倍数据速率（ DDR ），其中的数据带宽是定期同步两倍
DRAM 。
同步DRAM与SSTL_2兼容（低压CMOS逻辑器件为2.5V） 。
同步DRAM封装在66引脚塑料TSOP （ II ） 。
特点
•
全同步动态RAM与除DM ， DQS和DQ的所有输入信号参考一个时钟上升沿
•
双倍数据速率接口
差分CLK （ / CLK ）输入
数据输入和DM与DQS的两边同步
输出数据和DQS与CLK和/ CLK的交叉点同步
•
四银行内部操作
•
可以断言随机列地址在每个时钟周期
•
可编程模式寄存器组
/ CAS等待时间（2， 2.5）
突发长度（ 2，4， 8）
裹顺序（顺序/交织）
•
自动预充电和预充电控制
•
CBR （自动）刷新和自刷新
•
X4，X8 ， X16组织
•
字节写控制（ X4，X8 ）通过DM
•
字节写控制（ X16 ），通过LDM和UDM
•
2.5 V
±
0.2 V电源为V
DD
•
2.5 V
±
0.2 V电源为V
DD
Q
•
最大时钟频率高达133 MHz的
•
SSTL_2与所有信号兼容
•
4096刷新周期/ 64毫秒
•
66引脚塑料TSOP （ II ） （10.16毫米（ 400 ） ）
•
突发终止预充电命令和突发停止命令
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一号文件E0136E30 （版本3.0 ）
发布日期2001年10月（ K）
日本印刷
尔必达内存公司是NEC公司与日立公司合资的DRAM公司
ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
