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EDD2508AJTA-7A 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EDD2508AJTA-7A
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内容描述: 256M比特DDR SDRAM [256M bits DDR SDRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路光电二极管动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 50 页 / 490 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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EDD2504AJTA , EDD2508AJTA
-6B
参数
模式寄存器设置命令周期
时间
要积极主动/自动刷新
指令周期
自动刷新主动/自动刷新
指令周期
激活到读/写延迟
符号
分钟。
2.2
2
42
60
72
18
18
tRCD的分。
12
15
马克斯。
-7A
分钟。
2.2
2
马克斯。
-7B
分钟。
2.2
2
最大
单位
ns
TCK
笔记
7
地址和控制输入脉冲宽度tIPW
超过tMRD
主动到预充电命令tRAS的周期
TRC
tRFC
tRCD的
120000 45
67.5
75
20
20
tRCD的分。
15
15
120000 45
67.5
75
20
20
tRCD的分。
15
15
120000 NS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
TCK
TCK
µs
13
预充电到激活命令时期激进党
主动到Autoprecharge延迟
主动对主动命令时期
写恢复时间
自动预充电写恢复和
预充电时间
内部写读命令
延迟
平均周期刷新间隔
陷阱
TRRD
tWR的
tDAL
Twtr
TREF
EO
( tWR的/ TCK ) +
(TRP / TCK )
1
7.8
( tWR的/ TCK ) +
(TRP / TCK )
1
7.8
( tWR的/ TCK ) +
(TRP / TCK )
1
7.8
注:1。在所有交流测量,我们假设在接下来的页面中所示的试验条件。对于时序参数
定义,请参见“时序波形”部分。
2.这个参数定义从CK和/ CK的交叉点上的信号转换延迟。信号
过渡是指当信号电平渡VTT发生。
3.定时基准电平是VTT 。
4.输出有效窗口被定义为两个连续的过渡数据的列或DQS的期间
(读出)的信号。信号转换是指当信号电平渡VTT发生。
5.太赫兹被定义为从低 - Z DOUT迁移延迟到高阻在读突发操作结束。该
定时参考CK和/ CK的交叉点。此参数没有提到具体的DOUT电压
水平,但指定当设备停止输出驱动。
6. TLZ被定义为从高Z DOUT过渡延迟至低价-Z的在读操作的开始。这
参数未提及具体的DOUT的电压电平,但指定设备输出开始时
驾驶。
7.输入有效窗口被定义为间的数据输入或DQS的两个连续的过渡期
(写)信号。信号转换是指发生信号电平渡VREF时。
8.定时基准电平为VREF 。
9.从低到Z到高阻的过渡被定义时,该设备的输出停止驱动发生。具体
没有给定的参考电压来判断这一过渡。
10. TCK (最大值)是由DLL的锁定范围来确定。超出这个锁定范围时,DLL操作不
放心。
11. TCK TCK = (分钟)这些参数进行测量时。这些,否则,绝对最低值
值是TCK的10%。
12. VDD被假定为2.5V ±0.2V 。每个周期预计为小于电源VDD的变化
0.4V / 400周期。
13. tDAL = ( tWR的/ TCK ) + (TRP / TCK )
对于上述各方面的,如果不是已经整数,舍入到下一个最高的整数。
例如:对于-7A速度在CL = 2.5 , TCK = 7.5ns , tWR的=为15ns和TRP = 20ns的,
tDAL = ( 15ns的/ 7.5ns )+(为20ns / 7.5ns )=( 2) +(3)
tDAL = 5个时钟周期
初步数据表E0145E50 (版本5.0 )
L
od
Pr
7
t
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