初步数据表
256M DDR位移动RAM
WTR (宽温度范围) ,低功耗功能
EDD25163HBH -LS ( 16M字
×
16比特)
特定网络阳离子
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密度: 256M位
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组织: 4M字
×
16位
×
4银行
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包装: 60球FBGA
无铅(符合RoHS)和无卤素
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电源: VDD , VDDQ
=
1.7V至1.95V
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数据传输速率: 333Mbps / 266Mbps (最大)
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1KB的页面大小
行地址: A0到A12
列地址: A0到A8
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四大银行内部的并发操作
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接口: LVCMOS
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脉冲串长度(BL) : 2,4 ,8,16
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突发类型(BT) :
顺序(2 ,4,8 ,16)
交织(2 ,4,8 ,16)
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/ CAS延迟( CL ) : 3
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预充电:对于每个突发自动预充电选项
ACCESS
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驱动力:正常, 1/2,1/4 , 1/8
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刷新:自动刷新,自刷新
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刷新周期: 8192次/ 64ms的
平均更新周期: 7.8μs
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工作环境温度范围
TA =
−25°C
至+ 85°C
特点
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DLL未实现
低功耗
部分阵列自刷新( PASR )
自动温度补偿自刷新
( ATCSR )通过内置的温度传感器
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深度掉电模式
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双倍数据速率体系结构;两种数据传输每
一个时钟周期
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高速数据传输是通过2位来实现
预取流水线结构
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双向数据选通( DQS)被发送
/接收的数据,并在接收捕获数据。
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数据的输入,输出和DM与同步
的DQ
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DQS是边沿对齐的数据进行读操作;中央重点
与写入的数据一致
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差分时钟输入( CK和/ CK )
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命令中输入的每个正CK边缘:数据
和数据掩码参考DQS的两个边缘
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数据掩码(DM)写入数据
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突发终止突发停止命令和
预充电命令
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工作温度范围宽
TA =
−25°C
至+ 85°C
一号文件E1434E30 (版本3.0 )
发布日期2009年10月(K )日本
日本印刷
网址: http://www.elpida.com
Elpida
内存方面,公司2008-2009年