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    EDD2516ARTA-6B 参数 Datasheet PDF下载

    EDD2516ARTA-6B图片预览
    型号： EDD2516ARTA-6B
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 256M比特DDR SDRAM [256M bits DDR SDRAM]
    分类和应用： 动态存储器双倍数据速率
    文件页数/大小： 33 页 / 373 K
    品牌： ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
     浏览型号EDD2516ARTA-6B的Datasheet PDF文件第2页浏览型号EDD2516ARTA-6B的Datasheet PDF文件第3页浏览型号EDD2516ARTA-6B的Datasheet PDF文件第4页浏览型号EDD2516ARTA-6B的Datasheet PDF文件第5页浏览型号EDD2516ARTA-6B的Datasheet PDF文件第6页浏览型号EDD2516ARTA-6B的Datasheet PDF文件第7页浏览型号EDD2516ARTA-6B的Datasheet PDF文件第8页浏览型号EDD2516ARTA-6B的Datasheet PDF文件第9页  
    数据表
    256M比特DDR SDRAM
    EDD2516ARTA -6B （ 16M字
    ×
    16比特）
    特定网络阳离子
    •
    密度： 256M位
    •
    组织
    4M字
    ×
    16位
    ×
    4银行
    •
    封装： 66引脚塑料TSOP （ II ）
    •
    电源： VDD ， VDDQ
    =
    2.5V
    ±
    0.2V
    •
    数据传输速率： 333Mbps （最大）
    •
    四大银行内部的并发操作
    •
    接口： SSTL_2
    •
    脉冲串长度（BL） ： 2，4， 8
    •
    突发类型（BT） ：
    顺序（ 2，4， 8）
    交织（ 2，4， 8）
    •
    / CAS延迟（ CL ） ： 2,2.5
    •
    预充电：对于每个突发自动预充电操作
    ACCESS
    •
    刷新：自动刷新，自刷新
    •
    刷新周期： 8192次/ 64ms的
    平均更新周期： 7.8μs
    •
    工作环境温度范围
    TA = 0°C至+ 70°C
    销刀豆网络gurations
    / xxx表示低电平有效的信号。
    66引脚塑料TSOP （ II ）
    VDD
    DQ0
    VDDQ
    DQ1
    DQ2
    VSSQ
    DQ3
    DQ4
    VDDQ
    DQ5
    DQ6
    VSSQ
    DQ7
    NC
    VDDQ
    LDQS
    NC
    VDD
    NC
    LDM
    / WE
    / CAS
    / RAS
    / CS
    NC
    BA0
    BA1
    A10(AP)
    A0
    A1
    A2
    A3
    VDD
    VSS
    DQ15
    VSSQ
    DQ14
    DQ13
    VDDQ
    DQ12
    DQ11
    VSSQ
    DQ10
    DQ9
    VDDQ
    DQ8
    NC
    VSSQ
    UDQS
    NC
    VREF
    VSS
    UDM
    / CK
    CK
    CKE
    NC
    A12
    A11
    A9
    A8
    A7
    A6
    A5
    A4
    VSS
    特点
    •
    双倍数据速率体系结构;两种数据传输每
    时钟周期
    •
    高速数据传输是通过2位来实现
    预取流水线结构
    •
    双向数据选通（ DQS）被发送
    /接收的数据，并在接收捕获数据
    •
    数据的输入，输出和DM与同步
    的DQ
    •
    DQS是边沿对齐的数据进行读操作;中央重点
    与写入的数据一致
    •
    差分时钟输入（ CK和/ CK ）
    •
    DLL对齐DQ和DQS转换与CK
    TRANSITIONS
    •
    命令中输入的每个正CK边缘;数据
    和数据掩码参考DQS的两个边缘
    •
    数据掩码（DM）写入数据
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    7
    8
    9
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    29
    30
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    32
    33
    （ TOP VIEW ）
    66
    65
    64
    63
    62
    61
    60
    59
    58
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    53
    52
    51
    50
    49
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    47
    46
    45
    44
    43
    42
    41
    40
    39
    38
    37
    36
    35
    34
    A0到A12
    BA0 ， BA1
    DQ0到DQ15
    UDQS / LDQS
    / CS
    / RAS
    / CAS
    / WE
    UDM / LDM
    CK
    / CK
    CKE
    VREF
    VDD
    VSS
    VDDQ
    VSSQ
    NC
    地址输入
    银行选择地址
    数据输入/输出
    输入和输出数据选通
    芯片选择
    行地址选通命令
    列地址选通命令
    写使能
    输入掩码
    时钟输入
    差分时钟输入
    时钟使能
    输入参考电压
    电源内部电路
    地上的内部电路
    电源电路DQ
    地面DQ电路
    无连接
    一号文件E0848E10 （版本1.0 ）
    发布日期2005年12月（K ）日本
    日本印刷
    网址： http://www.elpida.com
    Elpida
    内存方面， 2005年公司

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