初步数据表
256M DDR位移动RAM
WTR (宽温度范围)
EDD2532DGBH -TT ( 8M字
×
32位)
特定网络阳离子
•
密度: 256M位
•
组织
×
32位: 2M字
×
32位
×
4银行
•
包装: 90球FBGA
无铅(符合RoHS)和无卤素
•
电源: VDD , VDDQ
=
1.7V至1.95V
•
数据传输速率: 333Mbps / 266Mbps (最大)
•
2KB页大小
行地址: A0到A11
列地址: A0到A8
•
四大银行内部的并发操作
•
接口: LVCMOS
•
脉冲串长度(BL) : 2,4 ,8,16
•
突发类型(BT) :
顺序(2 ,4,8 ,16)
交织(2 ,4,8 ,16)
•
/ CAS延迟( CL ) : 3
•
预充电:对于每个突发自动预充电选项
ACCESS
•
驱动力:正常, 1/2,1/4 , 1/8
•
刷新:自动刷新,自刷新
•
刷新周期: 4096次/ 64ms的
平均更新周期:值为15.6μs
•
工作环境温度范围
TA =
−20°C
至+ 85°C
特点
•
DLL未实现
•
低功耗
•
双倍数据速率体系结构;两种数据传输每
一个时钟周期
•
高速数据传输是通过2位来实现
预取流水线结构
•
双向数据选通( DQS)被发送
/接收的数据,并在接收捕获数据。
•
数据的输入,输出和DM与同步
的DQ
•
DQS是边沿对齐的数据进行读操作;中央重点
与写入的数据一致
•
差分时钟输入( CK和/ CK )
•
命令中输入的每个正CK边缘:数据
和数据掩码参考DQS的两个边缘
•
数据掩码(DM)写入数据
•
突发终止突发停止命令和
预充电命令
•
工作温度范围宽
TA =
−20°C
至+ 85°C
一号文件E1201E20 (版本2.0 )
发布日期2009年10月(K )日本
日本印刷
网址: http://www.elpida.com
Elpida
内存方面,公司2008-2009年