数据表
512M比特DDR SDRAM
EDD5108AFTA ( 64M字
×
8比特)
EDD5116AFTA ( 32M字
×
16比特)
特定网络阳离子
•
密度: 512M位
•
组织
⎯
16M的话
×
8位
×
4银行( EDD5108AFTA )
⎯
8M字
×
16位
×
4银行( EDD5116AFTA )
•
封装: 66引脚塑料TSOP ( II )
⎯
无铅(符合RoHS)
•
电源:
⎯
DDR400 :
VDD , VDDQ
=
2.6V
±
0.1V
⎯
DDR333 , 266 : VDD , VDDQ
=
2.5V
±
0.2V
•
数据传输速率: 400Mbps的/ 333Mbps / 266Mbps (最大)
•
四大银行内部的并发操作
•
接口: SSTL_2
•
脉冲串长度(BL) : 2,4, 8
•
突发类型(BT) :
⎯
顺序( 2,4, 8)
⎯
交织( 2,4, 8)
•
/ CAS延迟(CL) : 2 ,2.5%, 3
•
预充电:对于每个突发自动预充电选项
ACCESS
•
驱动力:正常/弱
•
刷新:自动刷新,自刷新
•
刷新周期: 8192次/ 64ms的
⎯
平均更新周期: 7.8μs
•
工作环境温度范围
⎯
TA = 0°C至+ 70°C
特点
•
双倍数据速率体系结构;两种数据传输每
时钟周期
•
高速数据传输是通过2位来实现
预取流水线结构
•
双向数据选通( DQS)被发送
/接收的数据,并在接收捕获数据
•
数据的输入,输出和DM与同步
的DQ
•
DQS是边沿对齐的数据进行读操作;中央重点
与写入的数据一致
•
差分时钟输入( CK和/ CK )
•
DLL对齐DQ和DQS转换与CK
TRANSITIONS
•
命令中输入的每个正CK边缘;数据
和数据掩码参考DQS的两个边缘
•
数据掩码(DM)写入数据
一号文件E0699E50 (版本5.0 )
发布日期2006年11月(K )日本
日本印刷
网址: http://www.elpida.com
Elpida
内存方面,公司2005-2006年