初步数据表
512M比特DDR SDRAM
EDD5104ABTA （ 128M词
×
4比特）
EDD5108ABTA （ 64M字
×
8比特）
描述
该EDD5104AB是512M位双数据速率
（ DDR ） SDRAM组织为33554432字
×
4位
×
4银行。该EDD5108AB是512M比特DDR
SDRAM组织为16777216字
×
8位
×
4
银行。读取和写入操作是在执行
交叉点的CK和/ CK的。这种高速
数据传输是通过2位预取流水线实现
架构。数据选通（DQS ），既用于读和
写可用于高速和可靠的数据总线
设计。通过设置扩展模式下的电阻，片上
延迟锁定环（DLL ），可以设置允许或禁止。
它们被封装在标准的66引脚塑料TSOP
(II)10.16mm(400).
销刀豆网络gurations
/ xxx表示低电平有效的信号。
66针TSOP （II）的10.16毫米（400）
VDD
VDD
NC
DQ0
VDDQ VDDQ
NC
NC
DQ0
DQ1
VSSQ VSSQ
NC
NC
NC
DQ2
VDDQ VDDQ
NC
NC
DQ1
DQ3
VSSQ VSSQ
NC
NC
NC
NC
VDDQ VDDQ
NC
NC
NC
NC
VDD
VDD
NC
NC
NC
NC
/ WE
/ WE
/ CAS
/ CAS
/ RAS
/ RAS
/ CS
/ CS
NC
NC
BA0
BA0
BA1
BA1
A10 （AP ）， A10 （ AP）
A0
A0
A1
A1
A2
A2
A3
A3
VDD
VDD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
VSS
DQ7
VSSQ
NC
DQ6
VDDQ
NC
DQ5
VSSQ
NC
DQ4
VDDQ
NC
NC
VSSQ
的DQ
NC
VREF
VSS
DM
/ CK
CK
CKE
NC
A12
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
VSS
NC
VSSQ
NC
DQ3
VDDQ
NC
NC
VSSQ
NC
DQ2
VDDQ
NC
NC
VSSQ
的DQ
NC
VREF
VSS
DM
/ CK
CK
CKE
NC
A12
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
特点
•
2.5 V电源： VDDQ = 2.5V
±
0.2V
： VDD = 2.5V
±
0.2V
•
数据传输速率： 333Mbps / 266Mbps （最大）
•
双倍数据速率的架构;两种数据传输每
时钟周期
•
双向的，数据选通（DQS ）被发送
/接收的数据，在捕获数据中使用
接收器
•
数据的输入，输出和DM与同步
的DQ
•
4个内部银行的并发操作
•
DQS是边沿与读取数据对齐的;中心
与写入的数据一致
•
差分时钟输入（ CK和/ CK ）
•
DLL对齐DQ和DQS转换与CK
TRANSITIONS
•
命令中输入的每个正CK边缘;数据
和数据掩码参考DQS的两个边缘
•
数据掩码（DM）写入数据
•
自动预充电选项为每个突发访问
•
2.5 V （ SSTL_2兼容）I / O
•
可编程的脉冲串长度（BL） ： 2，4， 8
•
可编程/ CAS延迟（CL） ： 2,2.5
•
刷新周期： 8192刷新周期/ 64ms的
7.8μs最大平均周期刷新间隔
•
刷新2变化
自动刷新
自刷新
一号文件E0237E30 （版本3.0 ）
发布日期2002年8月（K ）日本
网址： http://www.elpida.com
X8
X4
（ TOP VIEW ）
A0到A12
BA0 ， BA1
DQ0到DQ7
的DQ
/ CS
/ RAS
/ CAS
/ WE
DM
CK
/ CK
CKE
VREF
VDD
VSS
VDDQ
VSSQ
NC
地址输入
银行选择地址
数据输入/输出
输入和输出数据选通
芯片选择
行地址选通命令
列地址选通命令
写使能
输入掩码
时钟输入
差分时钟输入
时钟使能
输入参考电压
电源内部电路
地上的内部电路
电源电路DQ
地面DQ电路
无连接
Elpida
内存方面， 2002年公司
ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
