EDD5104ADTA -E ， EDD5108ADTA -E ， EDD5116ADTA -E
-6B
参数
模式寄存器设置命令周期
时间
要积极主动/自动刷新
指令周期
自动刷新主动/自动刷新
指令周期
激活到读/写延迟
符号
分钟。
2.2
2
42
60
72
18
18
tRCD的分。
12
15
（ tWR的/ TCK ） +
（TRP / TCK ）
1
—
—
7.8
马克斯。
—
—
120000
—
—
—
—
—
—
—
-7A
分钟。
2.2
2
45
65
75
20
20
tRCD的分。
15
15
最大
—
—
120000
—
—
—
—
—
—
—
-7B
分钟。
2.2
2
45
65
75
20
20
tRCD的分。
15
15
马克斯。
—
—
120000
—
—
—
—
—
—
—
单位注
ns
TCK
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
TCK
TCK
µs
13
7
地址和控制输入脉冲宽度tIPW
超过tMRD
主动到预充电命令tRAS的周期
TRC
tRFC
tRCD的
预充电到激活命令时期激进党
主动到Autoprecharge延迟
主动对主动命令时期
写恢复时间
自动预充电写恢复和
预充电时间
内部写读命令
延迟
平均周期刷新间隔
陷阱
TRRD
tWR的
tDAL
Twtr
TREF
（ tWR的/ TCK ） +
—
（TRP / TCK ）
1
—
—
7.8
（ tWR的/ TCK ） +
—
（TRP / TCK ）
1
—
—
7.8
注：1。在所有交流测量，我们假设在接下来的页面中所示的试验条件。对于时序参数
定义，请参见“时序波形”部分。
2.这个参数定义从CK和/ CK的交叉点上的信号转换延迟。信号
过渡是指当信号电平渡VTT发生。
3.定时基准电平是VTT 。
4.输出有效窗口被定义为两个连续的过渡数据的列或DQS的期间
（读出）的信号。信号转换是指当信号电平渡VTT发生。
5.太赫兹被定义为从低 - Z DOUT迁移延迟到高阻在读突发操作结束。该
定时参考CK和/ CK的交叉点。此参数没有提到具体的DOUT电压
水平，但指定当设备停止输出驱动。
6. TLZ被定义为从高Z DOUT过渡延迟至低价-Z的在读操作的开始。这
参数未提及具体的DOUT的电压电平，但指定设备输出开始时
驾驶。
7.输入有效窗口被定义为间的数据输入或DQS的两个连续的过渡期
（写）信号。信号转换是指发生信号电平渡VREF时。
8.定时基准电平为VREF 。
9.从低到Z到高阻的过渡被定义时，该设备的输出停止驱动发生。具体
没有给定的参考电压来判断这一过渡。
10. TCK （最大值）是由DLL的锁定范围来确定。超出这个锁定范围时，DLL操作不
放心。
11. TCK = TCK （分钟）这些参数进行测量时。这些，否则，绝对最低值
值是TCK的10％。
12. VDD被假定为2.5V ±0.2V 。每个周期预计为小于电源VDD的变化
0.4V / 400周期。
13. tDAL = （ tWR的/ TCK ） + （TRP / TCK ）
对于上述各方面的，如果不是已经整数，舍入到下一个最高的整数。
例如：对于-7A速度在CL = 2.5 ， TCK = 7.5ns ， tWR的=为15ns和TRP = 20ns的，
tDAL = （ 15ns的/ 7.5ns ）+（为20ns / 7.5ns ）=（ 2） +（3）
tDAL = 5个时钟周期
初步数据表E0501E10 （版本1.0 ）
7
ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
