数据表
512M比特DDR SDRAM
EDD5108AFTA - 5 （ 64M字
×
8位， DDR 400 ）
EDD5116AFTA - 5 （ 32M字
×
16位， DDR 400 ）
描述
该EDD5108AFTA和EDD5116AFTA是512M
位的双倍数据速率（ DDR） SDRAM组织成
16777216词
×
8位
×
4银行8,388,608
WORDS
×
16位
×
4银行分别。阅读和
写入操作时，在交叉点进行
在CK和/ CK 。这种高速数据传输是
由2位预取流水线架构实现。
数据选通（DQS ），既用于读操作，写操作可用
用于高速和可靠的数据总线设计。通过设置
扩展模式寄存器中，芯片上的延迟锁定
回路（ DLL） ，可设置启用或禁用。他们是
封装在标准的66引脚塑料TSOP （ II ） 。
销刀豆网络gurations
/ xxx表示低电平有效的信号。
66引脚塑料TSOP （ II ）
VDD
VDD
DQ0
DQ0
VDDQ VDDQ
NC
DQ1
DQ1
DQ2
VSSQ VSSQ
NC
DQ3
DQ2
DQ4
VDDQ VDDQ
NC
DQ5
DQ3
DQ6
VSSQ VSSQ
NC
DQ7
NC
NC
VDDQ VDDQ
NC LDQS
NC
NC
VDD
VDD
NC
NC
NC
LDM
/ WE
/ WE
/ CAS
/ CAS
/ RAS
/ RAS
/ CS
/ CS
NC
NC
BA0
BA0
BA1
BA1
A10 （AP ）， A10 （ AP）
A0
A0
A1
A1
A2
A2
A3
A3
VDD
VDD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
VSS VSS
DQ15 DQ7
VSSQ VSSQ
DQ14 NC
DQ13 DQ6
VDDQ VDDQ
DQ12 NC
DQ11 DQ5
VSSQ VSSQ
DQ10 NC
DQ9 DQ4
VDDQ VDDQ
DQ8 NC
NC
NC
VSSQ VSSQ
UDQS DQS
NC
NC
VREF VREF
VSS VSS
UDM DM
/ CK / CK
CK
CK
CKE CKE
NC
NC
A12 A12
A11 A11
A9
A9
A8
A8
A7
A7
A6
A6
A5
A5
A4
A4
VSS VSS
特点
•
电源： VDD ， VDDQ = 2.6V
±
0.1V
•
数据传输速率： 400Mbps的（最大）
•
双倍数据速率的架构;两种数据传输每
时钟周期
•
双向数据选通（ DQS）被发送
/接收的数据，并在接收捕获数据
•
数据的输入，输出和DM与同步
的DQ
•
4个内部银行的并发操作
•
DQS是边沿与读取数据对齐的;中心
与写入的数据一致
•
差分时钟输入（ CK和/ CK ）
•
DLL对齐DQ和DQS转换与CK
TRANSITIONS
•
命令中输入的每个正CK边缘;数据
和数据掩码参考DQS的两个边缘
•
数据掩码（DM）写入数据
•
自动预充电选项为每个突发访问
•
SSTL_2兼容的I / O
•
可编程的脉冲串长度（BL） ： 2，4， 8
•
可编程/ CAS延迟（ CL ） ： 3
•
可编程输出驱动强度：正常/弱
•
刷新周期： 8192刷新周期/ 64ms的
7.8μs最大平均周期刷新间隔
•
刷新2变化
自动刷新
自刷新
•
TSOP （ II ）封装，无铅焊料（锡铋）
符合RoHS
一号文件E0741E20 （版本2.0 ）
发布日期2005年10月（K ）日本
日本印刷
网址： http://www.elpida.com
X 16
X8
（ TOP VIEW ）
A0到A12
BA0 ， BA1
DQ0到DQ15
DQS ， LDQS ， UDQS
/ CS
/ RAS
/ CAS
/ WE
DM ， LDM ， UDM
CK
/ CK
CKE
VREF
VDD
VSS
VDDQ
VSSQ
NC
地址输入
银行选择地址
数据输入/输出
输入和输出数据选通
芯片选择
行地址选通命令
列地址选通命令
写使能
输入掩码
时钟输入
差分时钟输入
时钟使能
输入参考电压
电源内部电路
地上的内部电路
电源电路DQ
地面DQ电路
无连接
Elpida
内存方面， 2005年公司
ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
