初步数据表
512M比特DDR SDRAM
EDD5104ADTA -E （ 128M词
×
4比特）
EDD5108ADTA -E （ 64M字
×
8比特）
EDD5116ADTA -E （ 32M字
×
16比特）
描述
该EDD5104AD的EDD5108AD和
EDD5116AD是512M位的双倍数据速率（ DDR ）
SDRAM 。读取和写入操作在执行
在CK的交叉点和/ CK 。这个高
高速数据传输是通过2位来实现prefetch-
流水线结构。数据选通（ DQS ）既为
读取和写入可用于高速和可靠
数据总线设计。通过设置扩展模式寄存器，
芯片上的延迟锁定环（DLL），可以设置
启用或禁用。它被封装在标准的66针
塑料的TSOP （II）中。
销刀豆网络gurations
/ xxx表示低电平有效的信号。
66引脚塑料TSOP （ II ）
VDD
VDD
VDD
NC
DQ0
DQ0
VDDQ
VDDQ
VDDQ
NC
NC
DQ1
DQ0
DQ1
DQ2
VSSQ
VSSQ
VSSQ
NC
NC
DQ3
NC
DQ2
DQ4
VDDQ
VDDQ
VDDQ
NC
NC
DQ5
DQ1
DQ3
DQ6
VSSQ
VSSQ
VSSQ
NC
NC
DQ7
NC
NC
NC
VDDQ
VDDQ
VDDQ
NC
NC
LDQS
NC
NC
NC
VDD
VDD
VDD
NC
NC
NC
NC
NC
LDM
/ WE
/ WE
/ WE
/ CAS
/ CAS
/ CAS
/ RAS
/ RAS
/ RAS
/ CS
/ CS
/ CS
NC
NC
NC
BA0
BA0
BA0
BA1
BA1
BA1
A10(AP)
A10(AP)
A10(AP)
A0
A0
A0
A1
A1
A1
A2
A2
A2
A3
A3
A3
VDD
VDD
VDD
特点
•
电源： VDD ， VDDQ = 2.5V
±
0.2V
•
数据传输速率： 333Mbps / 266Mbps （最大）
•
双倍数据速率的架构;两种数据传输每
时钟周期
•
双向的，数据选通（DQS ）被发送
/接收的数据，在捕获数据中使用
接收器
•
数据的输入，输出和DM与同步
的DQ
•
4个内部银行的并发操作
•
DQS是边沿与读取数据对齐的;中心
与写入的数据一致
•
差分时钟输入（ CK和/ CK ）
•
DLL对齐DQ和DQS转换与CK
TRANSITIONS
•
命令中输入的每个正CK边缘;数据
和数据掩码参考DQS的两个边缘
•
数据掩码（DM）写入数据
•
自动预充电选项为每个突发访问
•
SSTL_2兼容的I / O
•
可编程的脉冲串长度（BL） ： 2，4， 8
•
可编程/ CAS延迟（CL） ： 2,2.5
•
可编程输出驱动强度：正常/弱
•
刷新周期： 8192刷新周期/ 64ms的
7.8μs最大平均周期刷新间隔
•
刷新2变化
自动刷新
自刷新
•
TSOP （II）的包
同
无铅焊料（锡铋）
一号文件E0501E10 （版本1.0 ）
发布日期2004年3月（K ）日本
网址： http://www.elpida.com
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41
40
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38
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36
35
34
VSS
VSS
VSS
DQ15
DQ7
NC
VSSQ
VSSQ
VSSQ
DQ14
NC
NC
DQ13
DQ6
DQ3
VDDQ
VDDQ
VDDQ
DQ12
NC
NC
DQ11
DQ5
NC
VSSQ
VSSQ
VSSQ
DQ10
NC
NC
DQ9
DQ4
DQ2
VDDQ
VDDQ
VDDQ
DQ8
NC
NC
NC
NC
NC
VSSQ
VSSQ
VSSQ
UDQS
的DQ
的DQ
NC
NC
NC
VREF
VREF
VREF
VSS
VSS
VSS
UDM
DM
DM
/ CK
/ CK
/ CK
CK
CK
CK
CKE
CKE
CKE
NC
NC
NC
A12
A12
A12
A11
A11
A11
A9
A9
A9
A8
A8
A8
A7
A7
A7
A6
A6
A6
A5
A5
A5
A4
A4
A4
VSS
VSS
VSS
X 16
X8
X4
（ TOP VIEW ）
A0到A12
BA0 ， BA1
DQ0到DQ15
DQS ， LDQS ， UDQS
/ CS
/ RAS
/ CAS
/ WE
DM ， LDM ， UDM
CK
/ CK
CKE
VREF
VDD
VSS
VDDQ
VSSQ
NC
地址输入
银行选择地址
数据输入/输出
输入和输出数据选通
芯片选择
行地址选通命令
列地址选通命令
写使能
输入掩码
时钟输入
差分时钟输入
时钟使能
输入参考电压
电源内部电路
地上的内部电路
电源电路DQ
地面DQ电路
无连接
Elpida
内存方面， 2004年公司
ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
