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EDD5108AGTA-4B-E 参数 Datasheet PDF下载

EDD5108AGTA-4B-E图片预览
型号: EDD5108AGTA-4B-E
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内容描述: 512M比特DDR SDRAM [512M bits DDR SDRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路光电二极管动态存储器双倍数据速率时钟
文件页数/大小: 50 页 / 488 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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EDD5108AGTA -4, EDD5116AGTA -4-
时序参数测量时钟周期
时钟周期的数目
TCK
参数
写入预充电命令
延迟(同一银行)
读取到预充电命令
延迟(同一银行)
写读命令延迟
(输入所有数据)
突发停止命令写入
命令延迟
(CL = 2)的
(CL = 2.5)
(CL = 3)的
突发stop命令DQ
高-Z
(CL = 2)的
(CL = 2.5)
(CL = 3)的
读命令写入
命令延迟(输出所有
数据)
(CL = 2)的
(CL = 2.5)
(CL = 3)的
符号
tWPD
tRPD
tWRD
tBSTW
tBSTW
tBSTW
tBSTZ
tBSTZ
tBSTZ
tRWD
tRWD
tRWD
4ns
分钟。
马克斯。
5ns
分钟。
马克斯。
6ns
分钟。
马克斯。
7.5ns
分钟。
马克斯。
单位
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
1 + BL / 2
+ tWR的
BL/2
1 + BL / 2
+ tWR的
BL/2
1 + BL / 2
+ tWR的
BL/2
1 + BL / 2
+ tWR的
BL/2
1 + BL / 2
+ tWTR
3
3
3
1 + BL / 2
+ tWTR
3
3
3
1 + BL / 2
+ tWTR
3
3
2.5
3
2.5
3
1 + BL / 2
+ tWTR
2
3
3
2
2.5
3
2
2.5
3
2 + BL / 2 -
3 + BL / 2 -
3 + BL / 2 -
2
2.5
3
1
2
0
10
200
1
1
6
9
10
3
3
2
2.5
3
1
0
1
3 + BL / 2 -
3 + BL / 2 -
2.5
3
1
3
0
12
200
1
1
7
10
12
3
3
2.5
3
1
0
1
3 + BL / 2 -
3
1
3 (-4B)
4 (-4C)
0
15
200
1
1
8
3
1
0
1
3 + BL / 2 -
3
1
3
0
15
200
1
1
8
3
1
0
1
预充电命令高阻
tHZP
(CL = 2)的
(CL = 2.5)
(CL = 3)的
在写命令的数据
潜伏期
写恢复
DM在延迟数据
自刷新退出到非读
命令
自刷新退出阅读
命令
断电进入
掉电退出命令
输入
至预充电命令
要积极主动/自动刷新
指令周期
自动刷新主动/自动 -
刷新命令期
激活到读/写延迟
预充电到激活命令
tHZP
tHZP
tWCD
tWR的
TDMD
TSNR
tSRD
TPDEN
tPDEX
tRAS的
TRC
tRFC
tRCD的
激进党
11 (-4B)
12 (-4C)
14
3 (-4B)
4 (-4C)
3 (-4B)
4 (-4C)
11 (-5B)
12 (-5C)
14
3 (-5B)
4 (-5C)
3 (-5B)
4 (-5C)
数据表E1195E20 (版本2.0 )
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