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EDE1108AJBG-1J-F 参数 Datasheet PDF下载

EDE1108AJBG-1J-F图片预览
型号: EDE1108AJBG-1J-F
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内容描述: 1G位DDR2 SDRAM [1G bits DDR2 SDRAM]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 74 页 / 551 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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数据表
1G位DDR2 SDRAM
EDE1108AJBG -1( 128M字
×
8比特)
EDE1116AJBG -1( 64M字
×
16比特)
特定网络阳离子
密度: 1G位
组织
16M的话
×
8位
×
8银行( EDE1108AJBG )
8M字
×
16位
×
8银行( EDE1116AJBG )
60球FBGA ( EDE1108AJBG )
84球FBGA ( EDE1116AJBG )
无铅(符合RoHS)和无卤素
电源: VDD , VDDQ
=
1.8V
±
0.1V
数据速率
1066Mbps (最大)
1KB页大小( EDE1108AJBG )
行地址: A0到A13
列地址: A0到A9
2KB页大小( EDE1116AJBG )
行地址: A0到A12
列地址: A0到A9
八个内部银行的并发操作
接口: SSTL_18
脉冲串长度(BL) : 4,8
突发类型(BT) :
顺序(4,8 )
交织(4,8 )
/ CAS延迟( CL ) : 7
预充电:对于每个突发自动预充电选项
ACCESS
驱动力:正常,弱
刷新:自动刷新,自刷新
特点
双倍数据速率体系结构;两种数据传输每
时钟周期
高速数据传输是由4比特来实现
预取流水线结构
双向差分数据选通( DQS和/ DQS )
传输/数据接收的数据采集
接收器
DQS是边沿对齐的数据进行读操作;中央重点
与写入的数据一致
差分时钟输入( CK和/ CK )
DLL对齐DQ和DQS转换与CK
TRANSITIONS
命令中输入的每个正CK边缘;数据
和数据掩码参考DQS的两个边缘
数据掩码(DM)写入数据
发布/ CAS通过可编程附加延迟
更好的命令和数据总线效率
可编程RDQS , / RDQS输出制作
×
8
组织相容
×
4机构
/ DQS ( / RDQS )可用于单端被禁用
数据选通操作
片外驱动器(OCD)阻抗调整是不
支持。
刷新周期: 8192次/ 64ms的
平均更新周期
7.8μs在0℃下
TC
≤ +85°C
在3.9μs
+ 85°C <
TC
≤ +95°C
工作温度范围
TC = 0 ° C至+ 95°C
一号文件E1733E31 ( Ver.3.1 )
发布日期2011年11月(K )日本
日本印刷
网址: http://www.elpida.com
Elpida
内存方面,公司2010-2011年