EDE1108AEBG ， EDE1116AEBG
ODT DC电气特性（ TC = 0 ° C至+ 85°C ， VDD和VDDQ = 1.8V
±
0.1V)
参数
RTT的EMRS （ A6 ， A2）的有效阻抗值
=
0, 1; 75
Ω
RTT的EMRS （ A6 ， A2）的有效阻抗值
=
1, 0; 150
Ω
RTT的EMRS （ A6 ， A2）的有效阻抗值
=
1, 1; 50
Ω
VM的偏差相对于VDDQ / 2
符号
RTT1 （ EFF ）
RTT2 （ EFF ）
Rtt3 （ EFF ）
'vm
分钟。
60
120
40
−6
典型值。
75
150
50
⎯
马克斯。
90
180
60
+6
单位
Ω
Ω
Ω
%
记
1
1
1
1
注： RTT测量1.测试条件。
对于RTT测量定义（ EFF ）
应用VIH （ AC）和VIL （ AC）分别测试引脚，然后分别为I（ VIH （ AC） ）和I（ VIL （ AC ） ）测量电流。
在SSTL_18定义的VIH（ AC）和VDDQ的值。
RTT
(
EFF
)
=
VIH
(
AC
)
−
VIL
(
AC
)
I
(
VIH
(
AC
))
−
I
(
VIL
(
AC
))
测量定义为
'vm
测量电压（ VM）在测试引脚（中点）无负载。
⎛
2
×
VM
⎞
- 1
⎟
×
100
Δ
VM
=
⎜
VDDQ
⎠
⎝
OCD默认特性（ TC = 0 ° C至+ 85°C ， VDD ， VDDQ = 1.8V
±
0.1V)
参数
输出阻抗
上拉和下拉不匹配
输出压摆率
分钟。
12.6
0
1.5
典型值。
18
⎯
⎯
马克斯。
23.4
4
5
单位
Ω
Ω
V / ns的
笔记
1, 5
1, 2
3, 4
注：输出源的直流电流1.阻抗测量条件： VDDQ = 1.7V ; VOUT = 1420mV ;
（ VOUT - VDDQ ） / IOH必须大于23.4Ω少了VOUT的VDDQ和VDDQ - 280MV之间的值。
输出阻抗测量条件下沉直流电流： VDDQ = 1.7V ; VOUT = 280MV ;
VOUT / IOL必须为VOUT的0V和280MV之间的值小于23.4Ω 。
2.不匹配是拉和下拉的绝对值，无论是在相同的温度测量
电压。
3.压摆率从VIL （ AC）测量到VIH （ AC） 。
4.摆率作为从直流测量到直流的绝对值等于或大于所述压摆率
从AC测量交流。这是通过设计和特性保证。
五是DRAM I / O规范的时序，电压和压摆率不再适用，如果OCD改变
从默认设置。
初步数据表E1228E20 （版本2.0 ）
12
ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
