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EDE1116AEBG-8E-F 参数 Datasheet PDF下载

EDE1116AEBG-8E-F图片预览
型号: EDE1116AEBG-8E-F
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内容描述: 1G位DDR2 SDRAM [1G bits DDR2 SDRAM]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 78 页 / 623 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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EDE1108AEBG , EDE1116AEBG
销刀豆网络gurations
/ xxx表示低电平有效的信号。
60球FBGA
( × 8的组织)
1
A
VDD
NU / / RDQS
VSS
B
DQ6 VSSQ
DM / RDQS
C
VDDQ
D
DQ4
E
VDDL VREF
F
CKE
G
BA2
H
A10
J
VSS
K
L
VDD
A12
NC
( TOP VIEW )
N
VSS
P
A7
R
VDD
A12
NC
NC
NC
A9
A11
A8
VSS
A3
A5
A6
A4
NC
A13
A3
A7
A5
A9
A6
A11
A4
A8
VSS
A1
A2
A0
VDD
BA0
BA1
/ CAS
/ CS
H
DQ4
J
VDDL VREF
K
CKE
L
BA2
M
A10
A1
A2
A0
VDD
BA0
BA1
/ CAS
/ CS
/ WE
/ RAS
/ CK
ODT
VSS
VSSDL
CK
VDD
VSSQ
DQ3
DQ2
VSSQ
DQ5
/ WE
/ RAS
/ CK
ODT
G
VDDQ
DQ1 VDDQ
VDDQ
DQ0
VDDQ
VSS
VSSDL
CK
VDD
F
DQ6
VSSQ
LDM
LDQS VSSQ
DQ7
VSSQ
DQ3
DQ2
VSSQ
DQ5
E
VDD
NC
VSS
VSSQ / LDQS VDDQ
DQ1 VDDQ
VDDQ
DQ0
VDDQ
D
的DQ
VSSQ
DQ7
C
VDDQ
DQ9 VDDQ
VDDQ
DQ8
VDDQ
VSSQ / DQS VDDQ
B
DQ14 VSSQ UDM
UDQS VSSQ DQ15
2
3
7
8
9
A
VDD
NC
VSS
VSSQ / UDQS VDDQ
1
2
84球FBGA
( × 16组织)
3
7
8
9
DQ12 VSSQ DQ11
DQ10 VSSQ DQ13
( TOP VIEW )
引脚名称
A0到A13
BA0 , BA1 , BA2
DQ0到DQ15
DQS , / DQS ,
UDQS , / UDQS ,
LDQS , / LDQS
RDQS , / RDQS
/ CS
/ RAS , / CAS , / WE
CKE
CK , / CK
DM , UDM , LDM
功能
地址输入
BANK SELECT
数据输入/输出
差分数据选通信号
差分数据选通信号读
芯片选择
命令输入
时钟使能
差分时钟输入
写数据面膜
引脚名称
ODT
VDD
VSS
VDDQ
VSSQ
VREF
VDDL
VSSDL
NC *
NU *
1
2
功能
ODT控制
电源电压为内部电路
地上的内部电路
电源电压为DQ电路
地面DQ电路
输入参考电压
电源电压为DLL电路
地面的DLL电路
无连接
不可用
注意事项: 1.不与内部芯片连接。
2.不要连接。内部连接。
初步数据表E1228E20 (版本2.0 )
3