数据表
1G位DDR2 SDRAM
EDE1108AESE ( 128M词
×
8比特)
EDE1116AESE ( 64M字
×
16比特)
特定网络阳离子
•
密度: 1G位
•
组织
16M的话
×
8位
×
8银行( EDE1108AESE )
8M字
×
16位
×
8银行( EDE1116AESE )
•
包
60球FBGA ( EDE1108AESE )
84球FBGA ( EDE1116AESE )
无铅(符合RoHS)
( EDE1108AESE - XX -E , EDE1116AESE - XX -E )
无铅(符合RoHS)和无卤素
( EDE1108AESE - XX -F , EDE1116AESE - XX -F )
•
电源: VDD , VDDQ
=
1.8V
±
0.1V
•
数据速率
达800Mbps / 667Mbps (最大)
•
1KB页大小( EDE1108AESE )
行地址: A0到A13
列地址: A0到A9
•
2KB页大小( EDE1116AESE )
行地址: A0到A12
列地址: A0到A9
•
八个内部银行的并发操作
•
接口: SSTL_18
•
脉冲串长度(BL) : 4,8
•
突发类型(BT) :
顺序(4,8 )
交织(4,8 )
•
/ CAS延迟(CL) :3, 4 ,5,6
•
预充电:对于每个突发自动预充电选项
ACCESS
•
驱动力:正常/弱
•
刷新:自动刷新,自刷新
特点
•
双倍数据速率体系结构;两种数据传输每
时钟周期
•
高速数据传输是由4比特来实现
预取流水线结构
•
双向差分数据选通( DQS和/ DQS )
传输/数据接收的数据采集
接收器
•
DQS是边沿对齐的数据进行读操作;中央重点
与写入的数据一致
•
差分时钟输入( CK和/ CK )
•
DLL对齐DQ和DQS转换与CK
TRANSITIONS
•
命令中输入的每个正CK边缘;数据
和数据掩码参考DQS的两个边缘
•
数据掩码(DM)写入数据
•
发布/ CAS通过可编程附加延迟
更好的命令和数据总线效率
•
片外驱动器阻抗调整和在复模机
终止更好的信号质量
•
可编程RDQS , / RDQS输出制作
×
8
组织相容
×
4机构
•
/ DQS ( / RDQS )可用于单端被禁用
数据选通操作
•
刷新周期: 8192次/ 64ms的
平均更新周期
7.8μs在0℃下
≤
TC
≤ +85°C
在3.9μs
+ 85°C <
TC
≤ +95°C
•
工作温度范围
TC = 0 ° C至+ 95°C
一号文件E1290E30 (版本3.0 )
发布日期2009年1月(K )日本
日本印刷
网址: http://www.elpida.com
Elpida
内存方面,公司2008-2009年