EDE2116AEBG-8E-F 参数 Datasheet PDF下载

型号：	EDE2116AEBG-8E-F
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内容描述：	2G位DDR2 SDRAM [2G bits DDR2 SDRAM]
分类和应用：	动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小：	73 页 / 515 K
品牌：	ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]

数据表

2G位DDR2 SDRAM

EDE2116AEBG （ 128M词

16比特）

特定网络阳离子

•

密度： 2G位

•

组织



16M的话

16位

8银行

•

包



84球FBGA



无铅（符合RoHS）和无卤素

•

电源： VDD ， VDDQ

1.8V

0.1V

•

数据速率



800Mbps的（最大）

•

2KB页大小



行地址： A0到A13



列地址： A0到A9

•

八个内部银行的并发操作

•

接口： SSTL_18

•

脉冲串长度（BL）： 4,8

•

突发类型（BT）：



顺序（4,8 ）



交织（4,8 ）

•

/ CAS延迟（CL）：3， 4 ，5，6

•

预充电：对于每个突发自动预充电选项

ACCESS

•

驱动力：正常，弱

•

刷新：自动刷新，自刷新

特点

•

双倍数据速率体系结构;两种数据传输每

时钟周期

•

高速数据传输是由4比特来实现

预取流水线结构

•

双向差分数据选通（ DQS和/ DQS ）

传输/数据接收的数据采集

接收器

•

DQS是边沿对齐的数据进行读操作;中央重点

与写入的数据一致

•

差分时钟输入（ CK和/ CK ）

•

DLL对齐DQ和DQS转换与CK

TRANSITIONS

•

命令中输入的每个正CK边缘;数据

和数据掩码参考DQS的两个边缘

•

数据掩码（DM）写入数据

•

发布/ CAS通过可编程附加延迟

更好的命令和数据总线效率

•

/ DQS可以用于单端数据选通被禁用

手术

•

片外驱动器（OCD）阻抗调整是不

支持。

•

刷新周期： 8192次/ 64ms的



平均更新周期

7.8μs在0℃下

≤

≤ +85°C

在3.9μs

+ 85°C <

≤ +95°C

•

工作温度范围



TC = 0 ° C至+ 95°C

一号文件E1820E21 （版本2.1 ）

发布日期2011年11月（K ）日本

日本印刷

网址： http://www.elpida.com

Elpida

内存方面，公司2011

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