初步数据表
256M位DDR2 SDRAM
EDE2508ABSE （ 32M字
×
8比特）
EDE2516ABSE （ 16M字
×
16比特）
描述
该EDE2508ABSE是256M比特的DDR2 SDRAM
组织为8,388,608字
×
8位
×
4银行。
它被包装在60球FBGA （ μBGA
）封装。
该EDE2516ABSE是256M比特的DDR2 SDRAM
组织为4,194,304字
×
16位
×
4银行。
它被包装在84球FBGA （ μBGA ）封装。
特点
•
电源： VDD ， VDDQ
=
1.8V
±
0.1V
•
双倍数据速率的架构：每两次数据传输
时钟周期
•
双向，差分数据选通（ DQS和
/ DQS ）被发送/与数据接收的，所用
在接收器采集数据
•
DQS是边沿与数据一致的内容如下：中心 -
与写入的数据一致
•
差分时钟输入（ CK和/ CK ）
•
DLL对齐DQ和DQS转换与CK
TRANSITIONS
•
命令中输入的每个正CK边缘：数据
和数据掩码参考DQS的两个边缘
•
四大银行内部的并发操作
•
数据掩码（DM）写入数据
•
突发长度： 4,8
•
/ CAS延迟（ CL ） ： 4,5
•
对于每一个突发访问自动预充电操作
•
自动刷新和自刷新模式
•
平均更新周期
7.8μs在0℃下
≤
TC
≤ +85°C
在3.9μs
+ 85°C <
TC
≤ +95°C
•
SSTL_18兼容的I / O
•
通过可编程附加延迟中科院发布
更好的命令和数据总线效率
•
片外驱动器阻抗调整和在复模机
终止更好的信号质量
•
可编程RDQS ， / RDQS输出制作
×
8
组织相容
×
4机构
•
/ DQS （ / RDQS ）可用于单端被禁用
数据选通操作。
•
FBGA （ μBGA ）封装无铅焊料
（锡 - 银 - 铜）
一号文件E0573E30 （版本3.0 ）
发布日期2005年5月（K ）日本
日本印刷
网址： http://www.elpida.com
Elpida
内存方面，公司2004-2005年
ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
