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EDE2508AASE-AE-E 参数 Datasheet PDF下载

EDE2508AASE-AE-E图片预览
型号: EDE2508AASE-AE-E
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内容描述: 256M位DDR2 SDRAM用于Hyper DIMM [256M bits DDR2 SDRAM for HYPER DIMM]
分类和应用: 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 66 页 / 673 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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初步数据表
256M位DDR2 SDRAM
对于Hyper DIMM
EDE2508AASE - DF , -BE , -AE ( 32M字
×
8比特)
EDE2516AASE - DF , -BE , -AE ( 16M字
×
16比特)
描述
该EDE2508AA是256M比特的DDR2 SDRAM
组织为8,388,608字
×
8位
×
4银行。
它被包装在64球FBGA封装。
该EDE2516AA是256M比特的DDR2 SDRAM
组织为4,194,304字
×
16位
×
4银行。
它被包装在84球FBGA封装。
特点
1.8V电源
双倍数据速率的架构:每两次数据传输
时钟周期
双向,差分数据选通( DQS和
/ DQS )被发送/与数据接收的,所用
在接收器采集数据
DQS是边沿与数据一致的内容如下:中心 -
与写入的数据一致
差分时钟输入( CK和/ CK )
DLL对齐DQ和DQS转换与CK
TRANSITIONS
命令中输入的每个正CK边缘:数据
和数据掩码参考DQS的两个边缘
四大银行内部的并发操作
数据掩码(DM)写入数据
突发长度: 4,8
/ CAS延迟(CL) : 3 ,4,5
对于每一个突发访问自动预充电操作
自动刷新和自刷新模式
7.8μs平均周期刷新间隔
1.8V ( SSTL_18兼容)I / O
通过可编程附加延迟中科院发布
更好的命令和数据总线效率
片外驱动器阻抗调整和在复模机
终止更好的信号质量
可编程RDQS , / RDQS输出制作
×
8
组织相容
×
4机构
/ DQS ( / RDQS )可用于单端被禁用
数据选通操作。
FBGA封装,无铅焊料(锡银铜)
一号文件E0515E12 (版本1.2 )
发布日期2006年2月(K )日本
网址: http://www.elpida.com
Elpida
内存方面,公司2004年至2006年