初步数据表
256M位DDR2 SDRAM
对于Hyper DIMM
EDE2508AASE - DF , -BE , -AE ( 32M字
×
8比特)
EDE2516AASE - DF , -BE , -AE ( 16M字
×
16比特)
描述
该EDE2508AA是256M比特的DDR2 SDRAM
组织为8,388,608字
×
8位
×
4银行。
它被包装在64球FBGA封装。
该EDE2516AA是256M比特的DDR2 SDRAM
组织为4,194,304字
×
16位
×
4银行。
它被包装在84球FBGA封装。
特点
•
1.8V电源
•
双倍数据速率的架构:每两次数据传输
时钟周期
•
双向,差分数据选通( DQS和
/ DQS )被发送/与数据接收的,所用
在接收器采集数据
•
DQS是边沿与数据一致的内容如下:中心 -
与写入的数据一致
•
差分时钟输入( CK和/ CK )
•
DLL对齐DQ和DQS转换与CK
TRANSITIONS
•
命令中输入的每个正CK边缘:数据
和数据掩码参考DQS的两个边缘
•
四大银行内部的并发操作
•
数据掩码(DM)写入数据
•
突发长度: 4,8
•
/ CAS延迟(CL) : 3 ,4,5
•
对于每一个突发访问自动预充电操作
•
自动刷新和自刷新模式
•
7.8μs平均周期刷新间隔
•
1.8V ( SSTL_18兼容)I / O
•
通过可编程附加延迟中科院发布
更好的命令和数据总线效率
•
片外驱动器阻抗调整和在复模机
终止更好的信号质量
•
可编程RDQS , / RDQS输出制作
×
8
组织相容
×
4机构
•
/ DQS ( / RDQS )可用于单端被禁用
数据选通操作。
•
FBGA封装,无铅焊料(锡银铜)
一号文件E0515E12 (版本1.2 )
发布日期2006年2月(K )日本
网址: http://www.elpida.com
Elpida
内存方面,公司2004年至2006年