初步数据表
512M位DDR2 SDRAM
EDE5104AGSE ( 128M词
×
4比特)
EDE5108AGSE ( 64M字
×
8比特)
描述
该EDE5104AGSE是512M比特的DDR2 SDRAM
组织为33554432字
×
4位
×
4银行。
该EDE5108AGSE是512M比特的DDR2 SDRAM
组织为16777216字
×
8位
×
4银行。
它们被包装在60球FBGA ( μBGA
)封装。
特点
•
电源: VDD , VDDQ
=
1.8V
±
0.1V
•
双倍数据速率的架构:每两次数据传输
时钟周期
•
双向,差分数据选通( DQS和
/ DQS )被发送/与数据接收的,所用
在接收器采集数据
•
DQS是边沿与数据一致的内容如下:中心 -
与写入的数据一致
•
差分时钟输入( CK和/ CK )
•
DLL对齐DQ和DQS转换与CK
TRANSITIONS
•
命令中输入的每个正CK边缘:数据
和数据掩码参考DQS的两个边缘
•
四大银行内部的并发操作
•
数据掩码(DM)写入数据
•
突发长度: 4,8
•
/ CAS延迟(CL) : 3 ,4,5
•
对于每一个突发访问自动预充电操作
•
自动刷新和自刷新模式
•
平均更新周期
7.8μs在0℃下
≤
TC
≤ +85°C
在3.9μs
+ 85°C <
TC
≤ +95°C
•
SSTL_18兼容的I / O
•
通过可编程附加延迟中科院发布
更好的命令和数据总线效率
•
片外驱动器阻抗调整和在复模机
终止更好的信号质量
•
可编程RDQS , / RDQS输出制作
×
8
组织相容
×
4机构
•
/ DQS ( / RDQS )可用于单端被禁用
数据选通操作。
•
FBGA ( μBGA )封装无铅焊料
(锡 - 银 - 铜)
符合RoHS
一号文件E0715E20 (版本2.0 )
发布日期2005年7月(K )日本
日本印刷
网址: http://www.elpida.com
Elpida
内存方面, 2005年公司