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EDE5108AJBG-8E-E 参数 Datasheet PDF下载

EDE5108AJBG-8E-E图片预览
型号: EDE5108AJBG-8E-E
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内容描述: 512M位DDR2 SDRAM [512M bits DDR2 SDRAM]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 77 页 / 621 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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EDE5108AJBG , EDE5116AJBG
×8
参数
符号
GRADE
马克斯。
×16
马克斯。
单位
测试条件
TCK TCK = ( IDD) ;
在每一个tRFC刷新命令( IDD)
区间;
CKE是H , / CS有效命令之间H;
其它的控制和地址总线输入是
切换;
数据总线输入切换
自刷新模式;
CK和/ CK在0V ; CKE
0.2V;
其它的控制和地址总线输入是
浮动;数据总线输入浮动
所有银行交错读取, IOUT = 0毫安;
BL = 4, CL = CL (IDD) ,
AL =的tRCD ( IDD)
−1
×
TCK ( IDD) ;
TCK TCK = ( IDD )的tRC =的tRC ( IDD ) ,
TRRD = TRRD ( IDD ) , tRCD的= 1
×
TCK ( IDD) ;
CKE是H , CS是有效的命令之间H;
地址总线的输入操作在稳定
取消选择;数据模式是相同IDD4W
自动刷新当前IDD5
-8E
-6E
105
100
105
100
mA
自刷新电流
IDD6*
7
6
6
mA
工作电流
(行交错)
IDD7
-8E
-6E
160
150
240
230
mA
注:1 。
2.
3.
4.
IDD规格测试后,该设备已正确初始化。
输入转换率是由AC输入测试条件规定。
IDD参数指定了ODT禁用。
数据总线由DQ , DM , DQS , / DQS , RDQS和/ RDQS的。 IDD值必须满足所有
EMRS的组合的位10和11 。
5.定义为IDD
L被定义为车辆
VIL (AC) (最大)
H被定义为车辆
VIH (AC) (分)
稳定的被定义为输入稳定在H或L电平
浮动是指在输入VREF = VDDQ / 2
切换的定义如下:
输入的地址和控制H和L之间变化(每两个时钟周期)每隔一个时钟周期
信号,并投入DQ信号每隔数据传输(每时钟周期一次) H和L之间变化
不包括面罩或闪光。
6.请参见AC时序IDD测试条件。
7.当TC
+ 85°C , IDD6必须由80 %降额。
IDD6将这一数额如果增加TC
+ 85 ° C和双重刷新选项仍处于启用状态。
AC时序IDD测试条件
为了IDD测试,下面的参数将被使用。
DDR2-800
参数
CL ( IDD)
的tRCD ( IDD)
tRC的( IDD)
TRRD ( IDD ) - × 8
TRRD ( IDD ) - × 16
TCK ( IDD)
tRAS的(最小)( IDD )
tRAS的(最大) ( IDD )
激进党( IDD)
tRFC ( IDD)
5-5-5
5
12.5
57.5
7.5
10
2.5
45
70000
12.5
105
DDR2-667
5-5-5
5
15
60
7.5
10
3
45
70000
15
105
单位
TCK
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
初步数据表E1044E20 (版本2.0 )
9