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EDE5108AGSE-5C-E 参数 Datasheet PDF下载

EDE5108AGSE-5C-E图片预览
型号: EDE5108AGSE-5C-E
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内容描述: 512M位DDR2 SDRAM [512M bits DDR2 SDRAM]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 74 页 / 578 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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数据表
512M位DDR2 SDRAM
EDE5104AGSE ( 128M词
×
4比特)
EDE5108AGSE ( 64M字
×
8比特)
特定网络阳离子
密度: 512M位
组织
32M的话
×
4位
×
4银行( EDE5104AGSE )
16M的话
×
8位
×
4银行( EDE5108AGSE )
包装: 60球FBGA
无铅(符合RoHS)
电源: VDD , VDDQ
=
1.8V
±
0.1V
数据传输速率: 667Mbps / 533Mbps / 400Mbps的(最大)
1KB的页面大小
行地址: A0到A13
列地址: A0到A9 , A11 ( EDE5104AGSE )
A0到A9 ( EDE5108AGSE )
四大银行内部的并发操作
接口: SSTL_18
脉冲串长度(BL) : 4,8
突发类型(BT) :
顺序(4,8 )
交织(4,8 )
/ CAS延迟(CL) : 3 ,4,5
预充电:对于每个突发自动预充电选项
ACCESS
驱动力:正常/弱
刷新:自动刷新,自刷新
特点
双倍数据速率体系结构;两种数据传输每
时钟周期
高速数据传输是由4比特来实现
预取流水线结构
双向差分数据选通( DQS和/ DQS )
传输/数据接收的数据采集
接收器
DQS是边沿对齐的数据进行读操作;中央重点
与写入的数据一致
差分时钟输入( CK和/ CK )
DLL对齐DQ和DQS转换与CK
TRANSITIONS
命令中输入的每个正CK边缘;数据
和数据掩码参考DQS的两个边缘
数据掩码(DM)写入数据
发布/ CAS通过可编程附加延迟
更好的命令和数据总线效率
片外驱动器阻抗调整和在复模机
终止更好的信号质量
可编程RDQS , / RDQS输出制作
×
8
组织相容
×
4机构
/ DQS ( / RDQS )可用于单端被禁用
数据选通操作
刷新周期: 8192次/ 64ms的
平均更新周期
7.8μs在0℃下
TC
≤ +85°C
在3.9μs
+ 85°C <
TC
≤ +95°C
工作温度范围
TC = 0 ° C至+ 95°C
一号文件E0715E50 (版本5.0 )
发布日期2006年10月(K )日本
日本印刷
网址: http://www.elpida.com
Elpida
内存方面,公司2005-2006年