初步数据表
位512M DDR- II SDRAM
EDE5104GASA （ 128M词
×
4比特）
EDE5108GASA （ 64M字
×
8比特）
描述
该EDE5104GA是512M比特DDR- II SDRAM
组织为33554432字
×
4位
×
4银行。
该EDE5108GA是512M比特DDR- II SDRAM
组织为16777216字
×
8位
×
4银行。
它被包装在60球FBGA封装。
销刀豆网络gurations
/ xxx表示低电平有效的信号。
60球FBGA
1
A
VDD
NU / / RDQS
VSS
B
C
D
（ NC ） *
（ NC ） *
2
3
7
8
9
EO
特点
VSSQ / DQS VDDQ
的DQ
VDDQ
DQ2
VSSDL
/ RAS
/ CAS
A2
A6
A11
NC
VSSQ
DQ0
VSSQ
CK
/ CK
/ CS
A0
A4
A8
NC
VSS
VDD
（ NC ） *
DQ6
DM / RDQS
（ NC ） *
VSSQ
（DM） *
VDDQ
DQ4
DQ1 VDDQ
VSSQ
DQ3
VSS
/ WE
BA1
A1
A5
A9
DQ7
•
1.8V电源
•
双倍数据速率的架构：每两次数据传输
时钟周期
•
双向，差分数据选通（ DQS和
/ DQS ）被发送/与数据接收的，所用
在接收器采集数据
•
DQS是边沿与数据一致的内容如下：中心 -
与写入的数据一致
•
差分时钟输入（ CK和/ CK ）
•
DLL对齐DQ和DQS转换与CK
TRANSITIONS
•
命令中输入的每个正CK边缘：数据
和数据掩码参考DQS的两个边缘
•
四大银行内部的并发操作
•
数据掩码（DM）写入数据
•
突发长度： 4只
•
/ CAS延迟（CL） ： 3,4
•
对于每一个突发访问自动预充电操作
•
自动刷新和自刷新模式
•
7.8μs最大平均周期刷新间隔
•
1.8V （ SSTL_18兼容）I / O
•
片外驱动器阻抗调整更好
信号质量。
•
对于可编程RDQS ， /输出RDQS
兼容性
×
4机构
•
/ DQS （ / RDQS ）可用于单端被禁用
数据选通操作。
•
FBGA封装是无铅焊料（锡银铜）
VDDQ
（ NC ） *
DQ5
E
VDDL VREF
F
CKE
G
NC
H
A10
J
VSS
A3
A7
BA0
NC
VDD
一号文件E0203E41 （版本4.1 ）
发布日期2006年2月（K ）日本
网址： http://www.elpida.com
L
本产品成为了EOL 2004年3月。
Elpida
内存方面，公司2001-2006年
od
Pr
K
L
VDD
A12
NC
A0到A12
BA0 ， BA1
DQ0到DQ7
DQS ， / DQS
RDQS ， / RDQS
/ CS
/ RAS ， / CAS ， / WE
CKE
CK ， / CK
DM
VDD
VSS
VDDQ
VSSQ
VREF
VDDL
VSSDL
NC *
1
NU *
2
（ TOP VIEW ）
注： （ ） *标记的管脚是EDE5104GA 。
地址输入
银行选择地址
数据输入/输出
差分数据选通信号
差分数据选通信号读
芯片选择
命令输入
时钟使能
差分时钟输入
输出的掩码
电源内部电路
地上的内部电路
电源电路DQ
地面DQ电路
参考电压
电源DLL电路
地面的DLL电路
无连接
不可用
注意事项： 1.不与内部芯片连接。
2.不要连接。与芯片内部连接。
uc
t
ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
