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EDE5116AJBG-1J-E 参数 Datasheet PDF下载

EDE5116AJBG-1J-E图片预览
型号: EDE5116AJBG-1J-E
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内容描述: 512M位DDR2 SDRAM [512M bits DDR2 SDRAM]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 77 页 / 747 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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EDE5108AJBG - 1J , EDE5116AJBG -1J
直流特性1 ( TC = 0 ° C至+ 85°C , VDD , VDDQ = 1.8V
±
0.1V)
×8
参数
符号
GRADE
马克斯。
×16
马克斯。
单位
测试条件
一家银行; TCK TCK = ( IDD )的tRC =的tRC ( IDD ) ,
。 tRAS的= tRAS的分( IDD) ;
CKE是H , / CS有效命令之间H;
地址总线输入切换;
数据总线输入切换
一家银行; IOUT = 0毫安;
BL = 4, CL = CL (IDD) ,AL = 0;
TCK TCK = ( IDD )的tRC =的tRC ( IDD ) ,
。 tRAS的= tRAS的分( IDD) ;的tRCD =的tRCD ( IDD) ;
CKE是H , / CS有效命令之间H;
地址总线输入切换;
数据模式是相同IDD4W
所有银行闲置; TCK TCK = ( IDD) ; CKE为L ;
其它的控制和地址总线输入是
稳定的;
数据总线输入浮动
所有银行闲置; TCK TCK = ( IDD) ;
CKE是H , / CS为H;
其它的控制和地址总线输入是
稳定的;
数据总线输入浮动
所有银行闲置; TCK TCK = ( IDD) ;
CKE是H , / CS为H;
其它的控制和地址总线输入是
切换;
数据总线输入切换
所有银行开放;
TCK TCK = ( IDD) ;
CKE为L ;
其他的控制和
地址总线输入
是稳定的;
数据总线输入
浮动
快PDN退出
刘健( 12 ) = 0
工作电流
( ACT - PRE )
IDD0
65
80
mA
工作电流
( ACT - READ - PRE )
IDD1
75
95
mA
预充加电
下来备用
当前
IDD2P
10
10
mA
预充电安静
待机电流
IDD2Q
15
15
mA
空闲待机电流
IDD2N
20
20
mA
IDD3P-F
主动掉电
待机电流
IDD3P-S
15
15
mA
12
12
mA
慢PDN退出
刘健( 12 ) = 1
主动待机
当前
IDD3N
45
45
mA
工作电流
(突发读取
操作)
IDD4R
165
220
mA
工作电流
(突发写
操作)
IDD4W
150
200
mA
所有银行开放;
TCK TCK = ( IDD ) , tRAS的= tRAS的最大值。 ( IDD ) ,
激进党=激进党( IDD) ;
CKE是H , / CS有效命令之间H;
其它的控制和地址总线输入是
切换;
数据总线输入切换
所有银行开放,连续的突发读取,
IOUT = 0毫安; BL = 4, CL = CL (IDD) ,AL = 0;
TCK TCK = ( IDD ) ,
。 tRAS的= tRAS的最大值( IDD ) ,激进党=激进党( IDD) ;
CKE是H , / CS有效命令之间H;
地址总线输入切换;
数据模式是相同IDD4W
所有银行开放,连拍写入;
BL = 4, CL = CL (IDD) ,AL = 0;
TCK TCK = ( IDD ) ,
。 tRAS的= tRAS的最大值( IDD ) ,激进党=激进党( IDD) ;
CKE是H , / CS有效命令之间H;
地址总线输入切换;
数据总线输入切换
数据表E1174E30 (版本3.0 )
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