EDE5132AABG 参数 Datasheet PDF下载

型号：	EDE5132AABG
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内容描述：	512M位DDR2 SDRAM [512M bits DDR2 SDRAM]
分类和应用：	动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小：	74 页 / 700 K
品牌：	ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]

初步数据表

512M位DDR2 SDRAM

EDE5132AABG （ 16M字

32位）

特定网络阳离子

•

密度： 512M位

•

组织



4M字

32位

4银行

•

包



128球FBGA



无铅（符合RoHS）和无卤素

•

电源： VDD ， VDDQ

1.8V

0.1V

•

数据速率



达800Mbps / 667Mbps （最大）

•

2KB页大小



行地址： A0到A12



列地址： A0到A8

•

四大银行内部的并发操作

•

接口： SSTL_18

•

脉冲串长度（BL）： 4,8

•

突发类型（BT）：



顺序（4,8 ）



交织（4,8 ）

•

/ CAS延迟（CL）：3， 4 ，5，6

•

预充电：对于每个突发自动预充电选项

ACCESS

•

驱动力：正常，弱， 1/4

•

刷新：自动刷新，自刷新

特点

•

双倍数据速率体系结构;两种数据传输每

时钟周期

•

高速数据传输是由4比特来实现

预取流水线结构

•

双向差分数据选通（ DQS和/ DQS ）

传输/数据接收的数据采集

接收器

•

DQS是边沿对齐的数据进行读操作;中央重点

与写入的数据一致

•

差分时钟输入（ CK和/ CK ）

•

DLL对齐DQ和DQS转换与CK

TRANSITIONS

•

命令中输入的每个正CK边缘;数据

和数据掩码参考DQS的两个边缘

•

数据掩码（DM）写入数据

•

发布/ CAS通过可编程附加延迟

更好的命令和数据总线效率

•

/ DQS可以用于单端数据选通被禁用

手术

•

刷新周期： 8192次/ 64ms的



平均更新周期

7.8μs在0℃下

≤

≤ +85°C

在3.9μs

+ 85°C <

≤ +95°C

•

工作温度范围



TC = 0 ° C至+ 95°C

一号文件E1115E40 （版本4.0 ）

发布日期2008年7月（K ）日本

日本印刷

网址： http://www.elpida.com

Elpida

内存方面，公司2007-2008年

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