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EDJ1116BBSE-AG-F 参数 Datasheet PDF下载

EDJ1116BBSE-AG-F图片预览
型号: EDJ1116BBSE-AG-F
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内容描述: 1G位DDR3 SDRAM [1G bits DDR3 SDRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 151 页 / 1895 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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数据表
1G位DDR3 SDRAM
EDJ1104BBSE ( 256M词
×
4比特)
EDJ1108BBSE ( 128M词
×
8比特)
EDJ1116BBSE ( 64M字
×
16比特)
特定网络阳离子
密度: 1G位
组织
32M的话
×
4位
×
8银行( EDJ1104BBSE )
16M的话
×
8位
×
8银行( EDJ1108BBSE )
8M字
×
16位
×
8银行( EDJ1116BBSE )
78球FBGA ( EDJ1104 / 1108BBSE )
96球FBGA ( EDJ1116BBSE )
无铅(符合RoHS)和无卤素
电源: VDD , VDDQ
=
1.5V
±
0.075V
数据速率
1600Mbps / 1333Mbps / 1066Mbps / 800Mbps的(最大)
1KB的页面大小( EDJ1104 / 1108BBSE )
行地址: A0到A13
列地址: A0到A9 , A11 ( EDJ1104BBSE )
A0到A9 ( EDJ1108BBSE )
2KB页大小( EDJ1116BBSE )
行地址: A0到A12
列地址: A0到A9
八个内部银行的并发操作
接口: SSTL_15
突发长度( BL ) : 8和4突发印章( BC)
突发类型(BT) :
连续的( 8 , 4 BC)
交错( 8,4与BC)
/ CAS延迟(CL) : 5 ,6,7 ,8,9 ,10,11
/ CAS写入延迟(CWL ) :5, 6 ,7,8
预充电:对于每个突发自动预充电选项
ACCESS
驱动力: RZQ / 7 , RZQ / 6 ( RZQ = 240Ω )
刷新:自动刷新,自刷新
特点
双倍数据速率体系结构;两种数据传输每
时钟周期
高速数据传输是通过8位来实现
预取流水线结构
双向差分数据选通( DQS和/ DQS )
传输/数据接收的数据采集
接收器
DQS是边沿对齐的数据进行读操作;中央重点
与写入的数据一致
差分时钟输入( CK和/ CK )
DLL对齐DQ和DQS转换与CK
TRANSITIONS
命令中输入的每个正CK边缘;数据
和数据掩码参考DQS的两个边缘
数据掩码(DM)写入数据
发布/ CAS通过可编程附加延迟
更好的命令和数据总线效率
片上端接( ODT)为更好的信号质量
同步ODT
动态ODT
异步ODT
多用途寄存器( MPR)的温度读
OUT
ZQ校准DQ驱动和ODT
可编程部分阵列自刷新( PASR )
/ RESET引脚上电顺序和复位
功能
SRT范围:
作者/扩展
可编程输出驱动器阻抗控制
EO
刷新周期
平均更新周期
7.8μs在0℃下
TC
≤ +85°C
在3.9μs
+ 85°C <
TC
≤ +95°C
工作温度范围
TC = 0 ° C至+ 95°C
一号文件E1375E50 (版本5.0 )
发布日期2009年4月(K )日本
日本印刷
网址: http://www.elpida.com
L
本产品成为了EOL于2010年6月。
Elpida
内存方面,公司2008-2009年
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