EDJ1104BBSE ， EDJ1108BBSE ， EDJ1116BBSE
[数据建立时间和保持基本价值观]
DDR3-800
TDS （基地）
TDH （基峰）
75
150
DDR3-1066
25
100
DDR3-1333
30
65
DDR3-1600
10
45
单位
ps
ps
参考
VIH / VIL （ AC ）
VIH / VIL （ DC ）
注意事项：1
AC / DC参考了1V / ns的DQ压摆率和2V / ns的DQS转换率
[ TDS的降额值/ TDH AC / DC为主（ DDR3-800 ， 1066 ） ]
ΔtDS ， ΔtDH
降额在[PS ] AC / DC的基础
DQS ， / DQS差分压摆率
4.0 V / ns的
3.0 V / ns的
2.0 V / ns的
1.8 V / ns的
1.6 V / ns的
1.4 V / ns的
1.2 V / ns的
1.0 V / ns的
ΔtDS ΔtDH ΔtDS ΔtDH ΔtDS ΔtDH ΔtDS ΔtDH ΔtDS ΔtDH ΔtDS ΔtDH ΔtDS ΔtDH ΔtDS ΔtDH
单位
EO
2.0
1.5
1.0
+88
+59
+50
+34
0
0
DQ
0.9
SLEW
0.8
率
（V / ns的） 0.7
0.6
0.5
0.4
4.0 V / ns的
2.0
1.5
1.0
DQ
0.9
SLEW
0.8
率
（V / ns的） 0.7
0.6
0.5
0.4
+75
+59
0
+50
+34
0
数据表E1375E50 （版本5.0 ）
+88
+59
0
+50
+34
0
−4
+88
+59
0
−2
−6
+50
+34
0
−4
−10
+67
+8
+6
+2
−3
+42
+8
+4
−2
−8
+16
+14
+10
+5
−1
+16
+12
+6
0
−10
+22
+18
+13
+7
−11
+20
+14
+8
−2
−16
+26
+21
+15
−2
−30
+24
+18
+8
−6
−26
+29
+23
+5
−22
+34
+24
+10
−10
ps
ps
ps
ps
ps
ps
ps
ps
ps
−2
[ TDS的降额值/ TDH AC / DC为主（ DDR3-1333 ， 1600 ） ]
ΔtDS ， ΔtDH
降额在[PS ] AC / DC的基础
DQS ， / DQS差分压摆率
3.0 V / ns的
ΔtDS ΔtDH ΔtDS ΔtDH ΔtDS ΔtDH ΔtDS ΔtDH ΔtDS ΔtDH ΔtDS ΔtDH ΔtDS ΔtDH ΔtDS ΔtDH
单位
+75
+59
0
0
+50
+34
0
+75
+59
0
+50
+34
0
+24
+18
+8
−6
−26
+40
+39
+30
+15
+34
+24
+10
−10
ps
ps
ps
ps
ps
ps
ps
ps
ps
L
−4
0
od
Pr
2.0 V / ns的
1.8 V / ns的
1.6 V / ns的
1.4 V / ns的
+58
+8
+42
+8
+16
+16
−4
+8
+8
+4
−2
−8
+16
+12
+6
0
+24
+20
−10
+16
+16
+24
+14
+8
−2
+32
+8
+24
+32
+15
−10
+23
+31
+14
−16
+22
+7
1.2 V / ns的
1.0 V / ns的
uc
t
12
ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
