欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

EDJ1104BFBG-GN-F 参数 Datasheet PDF下载

EDJ1104BFBG-GN-F图片预览
型号: EDJ1104BFBG-GN-F
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 1G位DDR3 SDRAM [1G bits DDR3 SDRAM]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 147 页 / 1753 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
 浏览型号EDJ1104BFBG-GN-F的Datasheet PDF文件第5页浏览型号EDJ1104BFBG-GN-F的Datasheet PDF文件第6页浏览型号EDJ1104BFBG-GN-F的Datasheet PDF文件第7页浏览型号EDJ1104BFBG-GN-F的Datasheet PDF文件第8页浏览型号EDJ1104BFBG-GN-F的Datasheet PDF文件第10页浏览型号EDJ1104BFBG-GN-F的Datasheet PDF文件第11页浏览型号EDJ1104BFBG-GN-F的Datasheet PDF文件第12页浏览型号EDJ1104BFBG-GN-F的Datasheet PDF文件第13页  
EDJ1104BFBG , EDJ1108BFBG
输入转换率降额
所有输入信号全部TIS , TDS (设置时间)和TIH , TDH (保持时间)所需的计算方法是添加数据
表TIS (基地) , TDS (基地)和载通(基地), TDH (基地)值的
ΔtIS , ΔtDS
ΔtIH , ΔtDH
降额值
分别。
例如: TDS (总建立时间) = TDS (基地) +
ΔtDS 。
设置(TIS , TDS)的标称压摆率的上升信号被定义为VREF ,最后交叉之间的压摆率
( DC)和VIH ( AC)分第一个十字路口。设置(TIS , TDS)的标称压摆率下降信号被定义为
VREF的最后一个交叉(DC)和的VIL (AC)的最大第一交叉之间的压摆率。如果实际信号是
总是早于阴影“ VREF ( DC)交流地区间的名义摆率线,使用额定压摆率
降额值(见的压摆率定义标称图)。
如果实际信号是购买比标称转换速率线阴影' VREF (DC)到交流区域'之间的任何位置,所述
的切线,以从AC电平到DC电平的实际信号的压摆率用于降额值(见图
的转换率定义切线) 。
持( TIH , TDH )公称压摆率的上升的信号被定义为最后一个交叉之间的压摆率
VIL (DC)的最大值。和VREF ( DC)的第一个十字路口。持有( TIH , TDH )的名义压摆率下降信号定义
作为VIH (DC)的最小的最后一个交叉之间的压摆率。和VREF ( DC)的第一个十字路口。如果实际信号
总是晚于阴影之间的名义摆率行“DC电平VREF ( DC )地区,使用名义摆
率降额值(见的压摆率定义标称图)。
如果实际信号早于任何地方的阴影之间的名义摆率行“DC至VREF ( DC )地区,
的切线从DC电平至VREF (直流)电平的实际信号的压摆率用于降额值
(见压摆率定义切线的图)。
为一个有效过渡的输入信号必须保持高于/低于VIH / VIL (AC)的一段时间TVAC (见的表
所需时间TVAC高于VIH ( AC) {低于VIL ( AC) }为有效过渡) 。
虽然慢摆率的总安装时间可能是负的(即有效输入信号没有达到
VIH / IL ( AC)在时钟上升沿过渡的时间)的有效输入信号,仍然需要完成过渡,
达到VIH / IL ( AC ) 。
在下面的表中列出的值之间的压摆率,降额值可通过线性得到
插值。
这些值通常不受生产测试。他们是通过设计和特性验证。
[地址/命令建立和保持基值1V / NS ]
DDR3-1066
TIS (基地) AC175
TIH (基地) DC100
TIS (基地) AC150
125
200
125 + 150
DDR3-1333
65
140
65 + 125
DDR3-1600
45
120
45 + 125
单位
ps
ps
ps
参考
VIH / VIL ( AC )
VIH / VIL ( DC )
VIH / VIL ( AC )
注:1. AC / DC为1V / ns的地址/命令转换速率和2V / ns的差异CK , / CK摆率引用。
2. THS (基峰) AC150规格从TIS (基峰)规范通过添加附加的调节
降额的100ps的,以适应为150mV的低备用阈值,另一个为25ps至
占较早参考点[ ( 175mV
150mV)/1V/ns]
初步数据表E1629E20 (版本2.0 )
9