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    EDK1216CFBJ-75-F 参数 Datasheet PDF下载

    EDK1216CFBJ-75-F图片预览
    型号： EDK1216CFBJ-75-F
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 128M DDR位移动RAM [128M bits DDR Mobile RAM™]
    分类和应用： 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率
    文件页数/大小： 56 页 / 708 K
    品牌： ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
     浏览型号EDK1216CFBJ-75-F的Datasheet PDF文件第2页浏览型号EDK1216CFBJ-75-F的Datasheet PDF文件第3页浏览型号EDK1216CFBJ-75-F的Datasheet PDF文件第4页浏览型号EDK1216CFBJ-75-F的Datasheet PDF文件第5页浏览型号EDK1216CFBJ-75-F的Datasheet PDF文件第6页浏览型号EDK1216CFBJ-75-F的Datasheet PDF文件第7页浏览型号EDK1216CFBJ-75-F的Datasheet PDF文件第8页浏览型号EDK1216CFBJ-75-F的Datasheet PDF文件第9页  
    初步数据表
    128M DDR位移动RAM
    EDK1216CFBJ （ 8M字
    ×
    16比特）
    特定网络阳离子
    •
    密度： 128M位
    •
    组织
    2M的话
    ×
    16位
    ×
    4银行
    •
    包装： 60球FBGA
    无铅（符合RoHS）和无卤素
    •
    电源： VDD ， VDDQ
    =
    1.7V至1.95V
    •
    时钟频率： 133MHz的（最大）
    •
    1KB的页面大小
    行地址： A0到A11
    列地址： A0到A8
    •
    四大银行内部的并发操作
    •
    接口： LVCMOS
    •
    脉冲串长度（BL） ： 2，4 ，8，16
    •
    突发类型（BT） ：
    顺序（2 ，4，8 ，16）
    交织（2 ，4，8 ，16）
    •
    / CAS延迟（ CL ） ： 3
    •
    预充电：对于每个突发自动预充电选项
    ACCESS
    •
    驱动力：正常， 1/2，1/4 ， 1/8
    •
    刷新：自动刷新，自刷新
    •
    刷新周期： 4096次/ 64ms的
    平均更新周期：值为15.6μs
    •
    工作环境温度范围
    TA = -25 ° C至+ 85°C
    销刀豆网络gurations
    / xxx表示低电平有效的信号。
    60球FBGA
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    7
    8
    9
    10
    A
    VSS
    DQ15
    VSSQ
    VDDQ
    DQ0
    VDD
    B
    VDDQ
    DQ13
    DQ14
    DQ1
    DQ2
    VSSQ
    C
    VSSQ
    DQ11
    DQ12
    DQ3
    DQ4
    VDDQ
    D
    VDDQ
    DQ9
    DQ10
    DQ5
    DQ6
    VSSQ
    E
    VSSQ UDQS
    DQ8
    DQ7
    LDQS
    VDDQ
    F
    VSS
    UDM
    NC
    NC
    LDM
    VDD
    G
    CKE
    CK
    / CK
    / WE
    / CAS
    / RAS
    H
    A9
    A11
    NC
    / CS
    BA0
    BA1
    J
    A6
    A7
    A8
    A10
    A0
    A1
    K
    VSS
    A4
    A5
    A2
    A3
    VDD
    （ TOP VIEW ）
    A0到A11
    BA0 ， BA1
    DQ0到DQ15
    UDQS ， LDQS
    / CS
    / RAS
    / CAS
    / WE
    UDM ， LDM
    CK
    / CK
    CKE
    VDD
    VSS
    VDDQ
    VSSQ
    NC
    地址输入
    银行选择地址
    数据输入/输出
    输入和输出数据选通
    芯片选择
    行地址选通
    列地址选通
    写使能
    写数据面膜
    时钟输入
    差分时钟输入
    时钟使能
    电源内部电路
    地上的内部电路
    电源电路DQ
    地面DQ电路
    无连接
    特点
    •
    低功耗
    •
    部分阵列自刷新（ PASR ）
    •
    自动温度补偿自刷新
    （ ATCSR ）通过内置的温度传感器
    •
    双倍数据速率体系结构;两种数据传输每
    一个时钟周期
    •
    双向数据选通（ DQS）被发送
    /接收的数据，并在接收捕获数据。
    •
    DQS是边沿对齐的数据进行读操作;中央重点
    与写入的数据一致
    •
    差分时钟输入（ CK和/ CK ）
    •
    命令中输入的每个正CK边缘：数据
    和数据掩码参考DQS的两个边缘
    •
    突发终止突发停止命令和
    预充电命令
    一号文件E1194E20 （版本2.0 ）
    发布日期2009年10月（K ）日本
    日本印刷
    网址： http://www.elpida.com
    Elpida
    内存方面，公司2007年-2009年

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