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EDR2518ABSE-AEP-E 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EDR2518ABSE-AEP-E
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内容描述: 288M位直接Rambus的DRAM [288M bits Direct Rambus DRAM]
分类和应用: 内存集成电路动态存储器时钟
文件页数/大小: 79 页 / 1101 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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初步数据表
288M位直接Rambus DRAM
EDR2518ABSE ( 512K字
×
18位
×
32S银行)
描述
该EDR2518AB (直接RDRAM )是一个通用
适合用途的高性能存储设备
在范围广泛的应用,包括使用
计算机存储器,图形,视频,和其他任何
应用需要高带宽和低延迟的
所需。
该EDR2518AB为1066MHz的288Mbits直接Rambus公司
DRAM ( RDRAM
) ,组织为16M字由18位。
采用RAMBUS信号级( RSL )技术
同时允许使用800MHz至1066MHz的传输速率
传统的系统和电路板设计技术。
直接RDRAM设备能够持续数据
每16每两个字节接送0.9375ns ( 7.5ns
个字节)。
直接RDRAM设备的架构允许
最高的持续带宽为多个,
同时随机寻址的存储器
交易。
独立的控制和数据总线与独立
行和列控收益率超过95 %,公交车的效率。
直接RDRAM设备32组支持高达
四个同步交易。
体系化的特点为移动,图形和
大内存系统包括电源管理,
字节屏蔽。
它是提供在适合于CSP的横包
台式机以及低调的附加卡和移动
应用程序。直接RDRAM设备从运行
2.5V电源。
特点
每个DRAM器件的最高持续带宽
- 2.1 GB / s的持续数据传输率
- 独立的控制与数据总线的最大化
效率
- 独立的行和列的控制总线,便于
调度和最高性能
- 32银行:四笔交易可以发生
同时,在全带宽的数据传输速率
低延迟特性
- 写缓存以减少读取延迟
- 对控制器的灵活性3预充电机制
- 交叉交易
先进的电源管理:
- 多种低功耗状态可在电源的灵活性
消费与时间的关系,以积极的状态
•掉电自刷新
组织: 2K字节页和32银行, ×18
采用RAMBUS信号级( RSL)最多
1066MHz的操作
FBGA ( μ BGA
)
包锡铅或无铅
焊料( Sn-Ag系, Cu)的
一号文件E0260E40 (版本4.0 )
发布日期2003年4月(K )日本
网址: http://www.elpida.com
Elpida
内存方面, 2002-2003年公司