数据表
128M位的SDRAM
EDS1216AABH ， EDS1216CABH
（ 8M字
×
16比特）
描述
该EDS1216AABH ， EDS1216CABH是128M位
SDRAM组织为2,097,152字
×
16位
×
4
银行。所有输入和输出都与同步
在时钟的正边缘。
电源电压为3.3V （ EDS1216AABH ）和2.5V
(EDS1216CABH).
它们被包装在54球FBGA 。
销刀豆网络gurations
/ XXX表示低电平有效的信号。
54球FBGA
1
A
VSS
DQ15
VSSQ
VDDQ
DQ0
VDD
2
3
4
5
6
7
8
9
B
DQ14
DQ13
VDDQ
VSSQ
DQ2
DQ1
特点
•
•
•
•
•
3.3V和2.5V电源
时钟频率： 133MHz的（最大）
单脉冲/ RAS
×16
组织
4银行可以同时运行，
独立地
•
突发读/写操作和突发读/单
写操作能力
•
可编程的脉冲串长度（BL） ： 1，2， 4，8，整页
•
爆序列的2个版本
顺序（BL = 1，2， 4，8，全页）
交错（BL = 1， 2，4， 8）的
•
可编程/ CAS延迟（CL） ：2,3
•
通过UDQM和LDQM控制字节
•
刷新周期： 4096刷新周期/ 64ms的
•
刷新2变化
自动刷新
自刷新
•
FBGA封装，无铅焊料（锡银铜）
C
DQ12
DQ11
VSSQ
VDDQ
DQ4
DQ3
D
DQ10
DQ9
VDDQ
VSSQ
DQ6
DQ5
E
DQ8
NC
VSS
VDD
LDQM
DQ7
F
UDQM
CLK
CKE
/ CAS
/ RAS
/ WE
G
NC
A11
A9
BA0
BA1
/ CS
H
A8
A7
A6
A0
A1
A10
J
VSS
A5
A4
A3
A2
VDD
（ TOP VIEW ）
A0到A11
BA0 ， BA1
DQ0到DQ15
CLK
CKE
/ CS
/ RAS
/ CAS
/ WE
LDQM / UDQM
VDD
VSS
VDDQ
VSSQ
NC
地址输入
BANK SELECT
数据输入/输出
时钟输入
时钟使能
芯片选择
行地址选通
列地址选通
写使能
输入/输出的掩码
电源
地
电源为DQ
地面DQ
无连接
一号文件E0410E40 （版本4.0 ）
发布日期2005年2月（K ）日本
日本印刷
网址： http://www.elpida.com
Elpida
内存方面，公司2003-2005年
ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
