数据表
128M位的SDRAM
EDS1232AASE （ 4M字
×
32位）
描述
该EDS1232AA是128M位的SDRAM作为举办
1,048,576字
×
32位
×
4银行。所有的输入和
输出与的上升沿同步
时钟。
它被包装在90球FBGA （ μBGA
).
销刀豆网络gurations
/ XXX表示低电平有效的信号。
90球FBGA （ μBGA ）
1
2
3
4
5
6
7
8
9
A
DQ26 DQ24 VSS
VDD DQ23 DQ21
VDDQ VSSQ DQ19
DQ22 DQ20 VDDQ
DQ17 DQ18 VDDQ
NC
A2
A10
NC
BA0
/ CAS
VDD
DQ6
DQ1
特点
•
•
•
•
•
3.3V电源
时钟频率： 166MHz的（最大）
单脉冲/ RAS
×32
组织
4银行可以同时运行，
独立地
•
突发读/写操作和突发读/写单
操作能力
•
可编程的脉冲串长度（BL ）：1， 2 ，4，8和满
页面
•
爆序列的2个版本
顺序（BL = 1，2， 4，8，全页）
交错（BL = 1， 2，4， 8）的
•
可编程/ CAS延迟（CL） ：2,3
•
通过DQM字节控制
•
刷新周期： 4096刷新周期/ 64ms的
•
刷新2变化
自动刷新
自刷新
•
FBGA （ μBGA ）封装无铅（锡银铜）
B
DQ28 VDDQ VSSQ
C
VSSQ DQ27 DQ25
D
VSSQ DQ29 DQ30
E
VDDQ DQ31
NC
A3
A6
NC
A9
NC
VSS
DQ16 VSSQ
DQM2 VDD
A0
BA1
/ CS
A1
A11
/ RAS
F
VSS DQM3
G
A4
A5
A8
CKE
NC
H
A7
J
CLK
K
DQM1
/ WE DQM0
DQ7 VSSQ
DQ5 VDDQ
DQ3 VDDQ
L
VDDQ DQ8
M
VSSQ DQ10 DQ9
N
VSSQ DQ12 DQ14
P
DQ11 VDDQ VSSQ
VDDQ VSSQ DQ4
VDD
DQ0
DQ2
R
DQ13 DQ15 VSS
（ TOP VIEW ）
A0到A11
BA0 ， BA1
DQ0到DQ31
/ CS
/ RAS
/ CAS
/ WE
DQM0到DQM3
CKE
CLK
VDD
VSS
VDDQ
VSSQ
NC
地址输入
银行选择地址
数据输入/输出
芯片选择
行地址选通
列地址选通
写使能
DQ面膜启用
时钟使能
时钟输入
电源内部电路
地上的内部电路
电源电路DQ
地面DQ电路
无连接
一号文件E0350E20 （版本2.0 ）
发布日期2004年8月（K ）日本
网址： http://www.elpida.com
Elpida
内存方面，公司2003-2004年
ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
