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EDS1232JHTA-6B-E 参数 Datasheet PDF下载

EDS1232JHTA-6B-E图片预览
型号: EDS1232JHTA-6B-E
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内容描述: 128M位的SDRAM [128M bits SDRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 50 页 / 719 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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EDS1232JHTA
DQM0到DQM3 (输入引脚)
DQM0到DQM3控制输入/输出缓冲器。
在此数据表, DQM代表DQM0到DQM3 。
读操作:如果DQM为高电平时,输出缓冲器变成高阻抗。如果DQM为低电平时,输出缓冲区变
低-Z 。 ( DQM的过程中读取的等待时间为2个时钟)。
写操作:如果DQM为高电平时,前面的数据被保持(即新数据不被写入) 。如果DQM为低时,所述数据是
写的。 ( DQM的写作过程中的等待时间为0的时钟。 )
每个DQM引脚对应于8 DQ引脚,分别为(见DQM对应表) 。
[ DQM对应表]
产品型号
EDS1232JHTA
组织
×
32位
数据屏蔽
DQM0
DQM1
DQM2
DQM3
的DQ
DQ0到DQ7
DQ8到DQ15
DQ16到DQ23
DQ24到DQ31
EO
DQ0到DQ31 (输入/输出引脚)
DQ管脚具有相同的功能,在传统的DRAM I / O引脚。
VDD , VSS , VDDQ , VSSQ (电源)
VDD和VSS是电源引脚的内部电路。 VDDQ和VSSQ是电源引脚输出
缓冲区。
初步数据表E1291E10 (版本1.0 )
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