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    EDS1232AHTA-75TI-E 参数 Datasheet PDF下载

    EDS1232AHTA-75TI-E图片预览
    型号： EDS1232AHTA-75TI-E
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 128M位的SDRAM WTR （宽温度范围） [128M bits SDRAM WTR (Wide Temperature Range)]
    分类和应用： 存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
    文件页数/大小： 50 页 / 725 K
    品牌： ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
     浏览型号EDS1232AHTA-75TI-E的Datasheet PDF文件第2页浏览型号EDS1232AHTA-75TI-E的Datasheet PDF文件第3页浏览型号EDS1232AHTA-75TI-E的Datasheet PDF文件第4页浏览型号EDS1232AHTA-75TI-E的Datasheet PDF文件第5页浏览型号EDS1232AHTA-75TI-E的Datasheet PDF文件第6页浏览型号EDS1232AHTA-75TI-E的Datasheet PDF文件第7页浏览型号EDS1232AHTA-75TI-E的Datasheet PDF文件第8页浏览型号EDS1232AHTA-75TI-E的Datasheet PDF文件第9页  
    数据表
    128M位的SDRAM
    WTR （宽温度范围）
    EDS1232AHTA -TI （ 4M字
    ×
    32位）
    特定网络阳离子
    •
    密度： 128M位
    •
    组织
    100万字
    ×
    32位
    ×
    4银行
    •
    封装： 86引脚塑料TSOP （ II ）
    无铅（符合RoHS）
    •
    电源： VDD ， VDDQ
    =
    3.3V
    ±
    0.3V
    •
    时钟频率： 133MHz的（最大）
    •
    四大银行内部的并发操作
    •
    接口： LVTTL
    •
    脉冲串长度（BL） ： 1，2， 4，8，整页
    •
    突发类型（BT） ：
    顺序（ 1，2， 4，8，全页）
    交织（1， 2，4， 8）
    •
    / CAS延迟（CL） ：2,3
    •
    预充电：对于每个突发自动预充电选项
    ACCESS
    •
    刷新：自动刷新，自刷新
    •
    刷新周期： 4096次/ 64ms的
    平均更新周期：值为15.6μs
    •
    工作环境温度范围
    TA = -40 ° C至+ 85°C
    销刀豆网络gurations
    / xxx表示低电平有效的信号。
    86引脚塑料TSOP （ II ）
    VDD
    DQ0
    VDDQ
    DQ1
    DQ2
    VSSQ
    DQ3
    DQ4
    VDDQ
    DQ5
    DQ6
    VSSQ
    DQ7
    NC
    VDD
    DQM0
    / WE
    / CAS
    / RAS
    / CS
    A11
    BA0
    BA1
    A10(AP)
    A0
    A1
    A2
    DQM2
    VDD
    NC
    DQ16
    VSSQ
    DQ17
    DQ18
    VDDQ
    DQ19
    DQ20
    VSSQ
    DQ21
    DQ22
    VDDQ
    DQ23
    VDD
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    7
    8
    9
    10
    11
    12
    13
    14
    15
    16
    17
    18
    19
    20
    21
    22
    23
    24
    25
    26
    27
    28
    29
    30
    31
    32
    33
    34
    35
    36
    37
    38
    39
    40
    41
    42
    43
    86
    85
    84
    83
    82
    81
    80
    79
    78
    77
    76
    75
    74
    73
    72
    71
    70
    69
    68
    67
    66
    65
    64
    63
    62
    61
    60
    59
    58
    57
    56
    55
    54
    53
    52
    51
    50
    49
    48
    47
    46
    45
    44
    VSS
    DQ15
    VSSQ
    DQ14
    DQ13
    VDDQ
    DQ12
    DQ11
    VSSQ
    DQ10
    DQ9
    VDDQ
    DQ8
    NC
    VSS
    DQM1
    NC
    NC
    CLK
    CKE
    A9
    A8
    A7
    A6
    A5
    A4
    A3
    DQM3
    VSS
    NC
    DQ31
    VDDQ
    DQ30
    DQ29
    VSSQ
    DQ28
    DQ27
    VDDQ
    DQ26
    DQ25
    VSSQ
    DQ24
    VSS
    EO
    特点
    • ×32
    组织
    •
    单脉冲/ RAS
    •
    突发读/写操作和突发读/写单
    操作能力
    •
    通过DQM字节控制
    •
    工作温度范围宽
    TA = -40 ° C至+ 85°C
    一号文件E1164E20 （版本2.0 ）
    发布日期2008年3月（K ）日本
    日本印刷
    网址： http://www.elpida.com
    L
    本产品成为了EOL 2010年3月。
    Elpida
    内存方面，公司2007-2008年
    od
    Pr
    A0到A11
    BA0 ， BA1
    / CS
    / RAS
    / CAS
    / WE
    CKE
    CLK
    VDD
    VSS
    VDDQ
    VSSQ
    DQ0到DQ31
    DQM0到DQM3
    （ TOP VIEW ）
    地址输入
    BANK SELECT
    数据输入/输出
    芯片选择
    行地址选通
    写使能
    DQ面膜启用
    时钟使能
    时钟输入
    uc
    列地址选通
    电源电压
    地
    电源电压
    对于DQ
    NC
    地面DQ
    无连接
    t

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