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EDS1208AATA-75-E 参数 Datasheet PDF下载

EDS1208AATA-75-E图片预览
型号: EDS1208AATA-75-E
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内容描述: 128M位的SDRAM [128M bits SDRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 49 页 / 698 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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初步数据表
128M位的SDRAM
EDS1208AATA ( 16M字
×
8比特)
特定网络阳离子
密度: 128M位
组织
4M字
×
8位
×
4银行
封装: 54引脚塑料TSOP ( II )
无铅(符合RoHS)
电源: VDD , VDDQ
=
3.3V
±
0.3V
时钟频率: 133MHz的(最大)
四大银行内部的并发操作
接口: LVTTL
脉冲串长度(BL) : 1,2, 4,8,整页
突发类型(BT) :
顺序( 1,2, 4,8,全页)
交织(1, 2,4, 8)
/ CAS延迟(CL) :2,3
预充电:对于每个突发自动预充电操作
ACCESS
刷新:自动刷新,自刷新
刷新周期: 4096次/ 64ms的
平均更新周期:值为15.6μs
工作环境温度范围
TA = 0°C至+ 70°C
销刀豆网络gurations
/ xxx表示低电平有效的信号。
54引脚塑料TSOP ( II )
VDD
DQ0
VDDQ
NC
DQ1
VSSQ
NC
DQ2
VDDQ
NC
DQ3
VSSQ
NC
VDD
NC
/ WE
/ CAS
/ RAS
/ CS
BA0
BA1
A10
A0
A1
A2
A3
VDD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
VSS
DQ7
VSSQ
EO
特点
NC
DQ6
VDDQ
NC
DQ5
VSSQ
NC
DQ4
VDDQ
NC
VSS
NC
DQM
CLK
CKE
NC
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
单脉冲/ RAS
突发读/写操作和突发读/写单
操作能力
通过DQM字节控制
一号文件E0660E20 (版本2.0 )
发布日期2005年12月(K )日本
日本印刷
网址: http://www.elpida.com
L
该产品成为EOL于2006年11月。
Elpida
内存方面, 2005年公司
od
Pr
A0到A11
BA0 , BA1
/ CS
/ RAS
/ CAS
/ WE
DQM
DQ0到DQ7
( TOP VIEW )
地址输入
银行选择地址
数据输入/输出
芯片选择
行地址选通
列地址选通
CKE
CLK
VDD
VSS
写使能
输入/输出的掩码
时钟使能
时钟输入
电源内部电路
地上的内部电路
uc
电源电路DQ
地面DQ电路
无连接
VDDQ
VSSQ
NC
t